发明名称 |
一种纳米尺度间隙电极对阵列及其制备方法 |
摘要 |
本发明提供了一种纳米尺度间隙电极对阵列及其制备方法,属于分子电子器件制备技术领域。本发明利用氧化还原反应,在碳纳米管表面上形成金属颗粒阵列;然后用氧等离子体轰击,将金属颗粒之间的碳纳米管全部或部分去除掉,即可获得纳米尺度间隙电极对阵列。本发明操作简单,工艺可靠、可控性好、成本低。通过后续的分子原子或纳米结构材料的组装技术,可较容易地实现纳米尺度(包括分子或原子尺度)的电子器件阵列。 |
申请公布号 |
CN101817499A |
申请公布日期 |
2010.09.01 |
申请号 |
CN201010158860.X |
申请日期 |
2010.04.29 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
魏芹芹;邓斯天;赵华波;傅云义;黄如;张兴 |
分类号 |
B82B1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I |
主分类号 |
B82B1/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 |
代理人 |
张肖琪 |
主权项 |
一种纳米尺度间隙电极对阵列,其特征在于,在碳纳米管表面上排列有金属颗粒阵列,金属颗粒间距为1-500纳米之间,上述金属颗粒之间的碳纳米管全部或部分被除掉,形成纳米尺度间隙的电极对阵列。 |
地址 |
100871 北京市海淀区颐和园路5号 |