发明名称 一种选择性发射极晶体硅太阳电池及其制备方法
摘要 一种选择性发射极晶体硅太阳电池及其制备方法,它涉及的是一种晶体硅太阳电池生产的技术领域,具体涉及的是一种选择性发射极晶体硅太阳电池及其制备方法。它在正表面电极与硅片接触区域形成重掺杂,并以正表面电极为掩膜进行反向刻蚀,在硅片正表面其它区域形成轻掺杂,从而获得选择性发射极结构。它既具有选择性发射极结构带来的较高的光电转换效率,又具有工艺简单、成本较低的特点,具有较好的实用价值。
申请公布号 CN101820009A 申请公布日期 2010.09.01
申请号 CN200910264504.3 申请日期 2009.12.25
申请人 欧贝黎新能源科技股份有限公司 发明人 屈盛
分类号 H01L31/042(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/042(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种选择性发射极晶体硅太阳电池及其制备方法,其特征在于它在正表面电极与硅片接触区域形成重掺杂,并以正表面电极为掩膜进行反向刻蚀,在硅片正表面其它区域形成轻掺杂,从而获得选择性发射极结构。
地址 226600 江苏省海安县黄海西路188号