发明名称 |
一种选择性发射极晶体硅太阳电池及其制备方法 |
摘要 |
一种选择性发射极晶体硅太阳电池及其制备方法,它涉及的是一种晶体硅太阳电池生产的技术领域,具体涉及的是一种选择性发射极晶体硅太阳电池及其制备方法。它在正表面电极与硅片接触区域形成重掺杂,并以正表面电极为掩膜进行反向刻蚀,在硅片正表面其它区域形成轻掺杂,从而获得选择性发射极结构。它既具有选择性发射极结构带来的较高的光电转换效率,又具有工艺简单、成本较低的特点,具有较好的实用价值。 |
申请公布号 |
CN101820009A |
申请公布日期 |
2010.09.01 |
申请号 |
CN200910264504.3 |
申请日期 |
2009.12.25 |
申请人 |
欧贝黎新能源科技股份有限公司 |
发明人 |
屈盛 |
分类号 |
H01L31/042(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/042(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种选择性发射极晶体硅太阳电池及其制备方法,其特征在于它在正表面电极与硅片接触区域形成重掺杂,并以正表面电极为掩膜进行反向刻蚀,在硅片正表面其它区域形成轻掺杂,从而获得选择性发射极结构。 |
地址 |
226600 江苏省海安县黄海西路188号 |