发明名称 |
一种芯片的恒温控制方法及其过温保护电路 |
摘要 |
本发明涉及功率集成电源管理IC芯片领域,具体涉及一种芯片的恒温控制方法及其过温保护电路。该方法将芯片输出电流产生的耗散功率通过热阻转化为芯片内部温度的变化,然后再将芯片温度变化转化为电压信号的变化,将电压信号放大后,控制芯片输出电流,从而调节芯片的耗散功率,实现芯片的恒温控制;其过温保护电路为一个由检温电路、恒温放大器和功率到温度的转换模块形成的闭环控制系统。本发明通过把芯片的整个“温度变化”环节用连续时间域的传输函数来量化,从而设计了一个基于闭环控制的温度调节电路,实现了芯片在需要过热保护时,保证芯片无过热危险前提下的输出功率最大化。 |
申请公布号 |
CN101290525B |
申请公布日期 |
2010.09.01 |
申请号 |
CN200710090145.5 |
申请日期 |
2007.04.16 |
申请人 |
应建华;陈嘉;武汉昊昱微电子有限公司 |
发明人 |
应建华;陈嘉 |
分类号 |
G05D23/19(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I |
主分类号 |
G05D23/19(2006.01)I |
代理机构 |
北京捷诚信通专利事务所 11221 |
代理人 |
魏殿绅;庞炳良 |
主权项 |
一种芯片的恒温控制方法,其特征在于:该方法将芯片输出电流产生的耗散功率通过热阻转化为芯片内部温度的变化,然后再将芯片温度变化转化为电压信号的变化,将电压信号放大后,控制芯片输出电流,从而调节芯片的耗散功率,实现芯片的恒温控制,其中将芯片输出电流产生的耗散功率通过热阻转化为芯片内部温度的变化是通过检温电路(1)实现的,该检温电路(1)包括由第一、第二场效应管(M1、M2)构成的电流镜和由第一、第二双极晶体管(T1、T2)组成的自偏置电流源,其中第一、第二双极晶体管(T1、T2)的集电极分别与第一、第二场效应管(M1、M2)的源极连接,第一、第二双极晶体管(T1、T2)的基极互连且与第二场效应管(M2)的源极连接,第三双极晶体管(T3)与第一双极晶体管(T1)构成电流镜像;该方法采用恒温放大器对电压信号进行放大,恒温放大器的增益表达式为: <mrow> <msub> <mi>A</mi> <mi>VTA</mi> </msub> <mrow> <mo>(</mo> <mi>S</mi> <mo>)</mo> </mrow> <mo>=</mo> <msub> <mi>A</mi> <mi>VTA</mi> </msub> <mrow> <mo>(</mo> <mn>0</mn> <mo>)</mo> </mrow> <mo>/</mo> <mrow> <mo>(</mo> <mn>1</mn> <mo>+</mo> <mi>S</mi> <mo>/</mo> <msub> <mi>S</mi> <mrow> <mi>p</mi> <mn>1</mn> <mi>TA</mi> </mrow> </msub> <mo>)</mo> </mrow> <mo>,</mo> </mrow>其中AVTA(0)为恒温放大器直流增益,SP1TA是恒温放大器的3db带宽。 |
地址 |
430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号东三区83号401 |