浆料成分及利用其的CMP方法

摘要

本发明的示例性实施例提供一种新的浆料成分，该新的浆料成分适合用于包括对多晶硅层化学机械抛光(CMP)的工艺。该浆料成分包括一种或多种非离子聚合物表面活性剂，该表面活性剂选择地在多晶硅的暴露表面上形成钝化层，以便于抑制相对于氧化硅和氮化硅的多晶硅除去速率并提高抛光衬底的平坦度。示例性的表面活性剂包括环氧乙烷(EO)和环氧丙烷(PO)嵌段共聚物的烷基或芳基醇，并以高达大约5wt％的量存在于浆料成分中，虽然更小的浓度有效。其它浆料添加剂可以包括粘度调节剂、pH调节剂、分散剂、螯合剂、以及适合用于调节氮化硅和氧化硅的相对除去速率的胺或亚胺表面活性剂。

主权项

一种除去形成在包括停止层的图形上的多晶硅层的上部的方法，包括：采用研磨浆料抛光多晶硅层以除去多晶硅层的上部，形成抛光的多晶硅表面，并暴露停止层的上表面，抛光的多晶硅表面和暴露的停止层的表面基本上共平面，其中该研磨浆料包括选择地在多晶硅层上形成钝化层的非离子表面活性剂，以及其中：非离子表面活性剂包括一种或多种选自：通过化学式ICH3-(CH2)n-(CH(CH3)CH2O)y-(CH2CH2O)x-OH        (I)表示的环氧乙烷-环氧丙烷嵌段共聚物醇；通过化学式IIR2-C6H4O-(CH(CH3)CH2O)y-(CH2CH2O)x-OH          (II)表示的环氧乙烷-环氧丙烷嵌段共聚物芳基醇，其中R2为-C9H19或-C8H17；通过化学式III(CH2CH2O)z-(CH(CH3)CH2O)y-(CH2CH2O)x-OH        (III)表示的环氧乙烷-环氧丙烷-环氧乙烷三嵌段聚合物；和由化学式IV(CH(CH3)CH2O)z-(CH2CH2O)y-(CH(CH3)CH2O)x-OH    (IV)表示的环氧丙烷-环氧乙烷-环氧丙烷三嵌段聚合物，其中n为满足关系式3≤n≤22的整数；z为满足关系式1≤z≤30的整数；y为满足关系式1≤y≤30的整数；和x为满足关系式1≤x≤30的整数。