| 发明名称 | 利用电流感应磁化反转MTJ的非易失性SRAM/锁存电路 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种存储电路，该存储电路包括：双稳电路，其用于存储数据；以及铁磁隧道结器件，其根据铁磁电极自由层的磁化方向非易失性地存储所述双稳电路中存储的数据，非易失性地存诸在所述铁磁隧道结器件中的所述数据能够恢复到所述双稳电路中。根据本发明，可以高速执行对双稳电路30的数据写入和数据读出。此外，即使关断电源，也可以将非易失性地存诸在铁磁隧道结器件MTJ1和MTJ2中的数据恢复到双稳电路(30)中。 | ||
| 申请公布号 | CN101821810A | 申请公布日期 | 2010.09.01 |
| 申请号 | CN200880111303.3 | 申请日期 | 2008.07.31 |
| 申请人 | 国立大学法人东京工业大学 | 发明人 | 山本修一郎;菅原聪 |
| 分类号 | G11C11/15(2006.01)I;G11C11/41(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉 |
| 主权项 | 一种存储电路，其特征在于，该存储电路包括：双稳电路，其存储数据；以及铁磁隧道结器件，其根据铁磁电极自由层的磁化方向非易失性地存储所述双稳电路中存储的数据，非易失性地存诸在所述铁磁隧道结器件中的所述数据能够恢复到所述双稳电路中。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||