发明名称 一种低介电常数复合材料的制备方法
摘要 本发明公开了一种低介电常数复合材料及其制备方法。本发明的低介电常数复合材料含有苯并环丁烯和中空无机纳米粒子或者含有苯并环丁烯衍生物和中空无机纳米粒子,其制备方法如下:将苯并环丁烯、中空无机纳米粒子加入到溶剂中,或者将苯并环丁烯衍生物、中空无机纳米粒子加入到溶剂中,搅拌均匀制得旋涂液,采用甩胶法在基片上成膜;将上述制备的基片放置于具塞的平底杯中,抽真空通氮气除去体系中的氧和残余的溶剂,于70~100℃保持20~80分钟,再升温至190~350℃并保持40~120分钟,降温得到低介电常数复合材料。本发明所制备的复合材料具有低介电常数、高热稳定性、高化学稳定性等优点,且制备简单。
申请公布号 CN101226786B 申请公布日期 2010.09.01
申请号 CN200710032519.8 申请日期 2007.12.14
申请人 华南理工大学 发明人 曾钫;黄伟平
分类号 H01B3/00(2006.01)I;C07C1/28(2006.01)I;C07C13/44(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)N;H01L21/768(2006.01)N 主分类号 H01B3/00(2006.01)I
代理机构 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人 何淑珍
主权项 一种低介电常数复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将苯并环丁烯和中空无机纳米粒子加入到溶剂中,或者将苯并环丁烯衍生物和中空无机纳米粒子加入到溶剂中,搅拌均匀得到旋涂液,采用甩胶法在基片上成膜;上述各组分重量份数如下:苯并环丁烯或苯并环丁烯衍生物  120~150中空无机纳米粒子              10~30溶剂                          160~320;(2)将步骤(1)制备的基片放置于具塞的平底杯中,抽真空通氮气除去体系中的氧和残余的溶剂,于70~100℃保持20~80分钟,再升温至190~350℃并保持40~120分钟,降温得到低介电常数复合材料;所述步骤(1)的苯并环丁烯衍生物选自1-位取代的苯并环丁烯衍生物、4-位取代的苯并环丁烯衍生物、烯基桥联双苯并环丁烯、芳基桥联双苯并环丁烯中的一种以上;所述步骤(1)的中空无机纳米粒子选自空心二氧化硅或二氧化钛,其粒径为10~50nm,孔径为8~40nm;所述步骤(1)的溶剂选自均三甲苯、四氢呋喃、甲苯、二甲苯、二苯醚中的任一种。
地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号
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