发明名称 INSULATION MATERIAL FOR INTEGRATED CIRCUITS AND USE OF SAID INTEGRATED CIRCUITS
摘要 <p>Die Erfindung bezieht sich auf die Gebiete der Mikroelektronik und der Materialwissenschaften und betrifft ein Isolationsschichtmaterial für integrierte Schaltkreise in der Mikroelektronik, welches beispielsweise in integrierten Schaltkreisen als Isolationsmaterial in Halbleiterbauelementen zur Anwendung kommen kann. Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Angabe eines Isolationsmaterials für integrierte Schaltkreise, welches Dielektrizitätskonstanten von k = 2 bei gleichzeitig guten mechanischen Eigenschaften aufweist. Die Aufgabe wird gelöst durch ein Isolationsmaterial für integrierte Schaltkreise, enthaltend mindestens MOFs und/oder COFs.</p>
申请公布号 WO2010094562(A1) 申请公布日期 2010.08.26
申请号 WO2010EP51297 申请日期 2010.02.03
申请人 LEIBNIZ-INSTITUT FUER FESTKOERPER- UND WERKSTOFFFORSCHUNG DRESDEN E.V.;SEIFERT, GOTTHART;HERMANN, HELMUT;ZAGORODNIY, KONSTYANTYN;ZSCHECH, EHRENFRIED 发明人 SEIFERT, GOTTHART;HERMANN, HELMUT;ZAGORODNIY, KONSTYANTYN;ZSCHECH, EHRENFRIED
分类号 H01L21/312;C07F3/00;C07F5/00;C07F5/06 主分类号 H01L21/312
代理机构 代理人
主权项
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