发明名称 |
Leistungshalbleitervorrichtung |
摘要 |
Eine Leistungshalbleitervorrichtung enthält ein Substrat, das eine Strahlungsplatte (18) auf einer Bodenoberfläche davon einschließt. Ein Halbleiterelement (24, 26) ist an einer oberen Oberfläche des Substrats (23) befestigt. Ein Harzgehäuse (10) bedeckt das Substrat (23) und das Halbleiterelement (24, 26) derart, dass die Strahlungsplatte (18), die die Bodenoberfläche des Substrats (23) darstellt, zu der Außenseite offen liegt. Eine Befestigungsplatte (16) weist ein Durchgangsloch (17) auf, das an einer Wärmesenke (52) zu befestigen ist. Das Durchgangsloch (17) ist außerhalb des Harzgehäuses (10) angeordnet. Ein Abschnitt der Befestigungsplatte (16) ist mit dem Harzgehäuse (10) bedeckt. Das Durchgangsloch (17) ist an einer Position angeordnet, die von dem Niveau der Bodenoberfläche des Substrats (23) zu dem Niveau der oberen Oberfläche des Substrats (23) verschoben ist. |
申请公布号 |
DE102009049613(A1) |
申请公布日期 |
2010.08.26 |
申请号 |
DE20091049613 |
申请日期 |
2009.10.16 |
申请人 |
MITSUBISHI ELECTRIC CORP. |
发明人 |
SUDO, SHINGO;YOSHIDA, HIROSHI;OTA, TATSUO;TANIGUCHI, NOBUTAKE;ARAI, KIYOSHI |
分类号 |
H01L23/36;H01L23/28;H01L23/488 |
主分类号 |
H01L23/36 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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