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发明名称 Verfahren zur Herstellung einer DRAM-Zelle mit Kondensator in separatem Substrat
摘要
申请公布号 DE59814458(D1) 申请公布日期 2010.08.26
申请号 DE19985014458 申请日期 1998.08.13
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 KLOSE, HELMUT;LEHMANN, VOLKER;REISINGER, HANS;HOENLEIN, WOLFGANG
分类号 H01L27/04;H01L27/108;H01L21/3205;H01L21/822;H01L21/8242 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
主权项
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