| 发明名称 | 一种制备浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制备浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的方法，该方法包括：选择至少两种前躯体在隧穿介质层上采用化学气相淀积方法生长俘获层；在生长俘获层的过程中，关闭其中一种或几种前躯体，仅保留含有纳米晶材料组分的前躯体进行淀积，以形成纳米晶材料过剩的内嵌薄层；形成内嵌薄层后，恢复原工艺条件，打开所有前躯体继续生长俘获层；生长完毕，快速热处理形成纳米晶与俘获层堆叠的复合俘获层结构。利用本发明，器件的加工工艺与传统CMOS工艺兼容，极大的简化工艺制程，降低制作成本，为器件的走向实际应用打下基础。 | ||
| 申请公布号 | CN101814430A | 申请公布日期 | 2010.08.25 |
| 申请号 | CN200910077369.1 | 申请日期 | 2009.02.19 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘明;刘璟;王琴;龙世兵 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;C23C16/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种制备浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的方法，其特征在于，该方法包括：选择至少两种前躯体在隧穿介质层上采用化学气相淀积方法生长俘获层；在生长俘获层的过程中，关闭其中一种或几种前躯体，仅保留含有纳米晶材料组分的前躯体进行淀积，以形成纳米晶材料过剩的内嵌薄层；形成内嵌薄层后，恢复原工艺条件，打开所有前躯体继续生长俘获层；生长完毕，快速热处理形成纳米晶与俘获层堆叠的复合俘获层结构。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||