发明名称 |
采用InGaSb柱形量子点实现高效率1.5μm通讯波段激光器结构的外延生长设计及方法 |
摘要 |
III-V族锑化物以其特有的晶格参数、能带结构特性,在近、中红外半导体器件方面显示出越来越重要得研究价值和应用价值。GaAs基1.5μm的Sb基量子点激光器的研制将提供替代InP基材料器件的可能,克服InP基材料其间难以高密度集成,温度稳定性差等缺点,为光通讯提供一种价格低廉、功耗小、性能优良的新光源选择。本发明是关于采用InGaSb柱形量子点实现高效率1.5μm通讯波段激光器结构的外延生长设计及方法的,能够实现锑化物体系的低维外延生长的研制,将为替代InP基材料器件,克服InP基材料其间难以高密度集成,温度稳定性差等缺点,为光通讯提供一种价格低廉、功耗小、性能优良的新光源选择。 |
申请公布号 |
CN101626143B |
申请公布日期 |
2010.08.25 |
申请号 |
CN200910066797.4 |
申请日期 |
2009.04.10 |
申请人 |
长春理工大学 |
发明人 |
李占国;刘国军;尤明慧;李林;李梅;乔忠良;邓昀;王勇;王晓华;赵英杰;李联合 |
分类号 |
H01S5/30(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/30(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
采用InGaSb柱形量子点实现高效率1.5μm通讯波段激光器结构的外延生长方法,其外延结构包括:GaAs衬底(1),GaAs缓冲层(2),AlSb/GaSb超晶格缓冲层(3),Al0.9Ga0.1Sb下限制层(4),Al0.3Ga0.7Sb下波导层(5),10-15个周期GaSb/GaInSb超晶格生长的柱形InGaSb量子点层(6),Al0.3Ga0.7Sb上波导层(7),Al0.9Ga0.1Sb上限制层(8),GaSb欧姆层(9),采用MBE方法,在(100)偏<111>4°取向、Si掺杂浓度1~2×1018cm-3的GaAs衬底(1)上依次生长:厚度0.5μm的GaAs缓冲层,Si掺杂,掺杂浓度2×1018cm-3,生长温度580℃;AlSb/GaSb超晶格缓冲层(3),生长温度540℃;Al0.9Ga0.1Sb下限制层(4),生长温度540℃,Te掺杂,浓度为5×1018cm-3,生长1.2μm;Al0.3Ga0.7Sb下波导层(5),生长温度540℃,生长0.35μm;10-15个周期GaSb/GaInSb超晶格生长的柱形InGaSb量子点层(6),生长温度420℃,量子点纵向与横向尺寸比大于1;Al0.3Ga0.7Sb上波导层(7),生长温度540℃;Al0.9Ga0.1Sb上限制层(8),生长温度540℃,Be掺杂,浓度为5×1018cm-3,厚度为1.2μm;欧姆接触层为200nm的p型GaSb层(9),生长温度540℃,Be掺杂,浓度为2×1019cm-3。 |
地址 |
130022 吉林省长春市朝阳区卫星路7186号 |