| 发明名称 | 制作多晶硅薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 一种制作多晶硅薄膜的方法。首先形成晶种层(seed layer)于基底的表面，然后形成硅层于该晶种层的表面。接着进行激光退火工艺，使该硅层转换为多晶硅层，且该激光退火工艺的能量大于或等于可完全融化该硅层的能量。 | ||
| 申请公布号 | CN101093800B | 申请公布日期 | 2010.08.25 |
| 申请号 | CN200710110683.6 | 申请日期 | 2007.06.08 |
| 申请人 | 统宝光电股份有限公司 | 发明人 | 卡卡德·拉梅许 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 一种制作多晶硅薄膜的方法，包含有：形成晶种层于基底的表面；形成硅层于该晶种层的表面；以及进行激光退火工艺，使该硅层转换为多晶硅层，且该激光退火工艺的能量大于或等于可完全融化该硅层的能量，其中该晶种层包含有氧化铈、氟化钙或氧化锆。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业区 | ||