氮化物半导体发光器件

摘要

本发明涉及一种高输出的氮化物发光器件。该发光器件包括按其顺序沉积在基板上的第一导电型氮化物半导体层、活性层、和第二导电型氮化物半导体层。该发光器件还包括：第一和第二绝缘层，形成在氮化物半导体发光器件的不同上表面部分上；以及第一和第二结合焊盘，分别形成在第一和第二绝缘层上。该发光器件还包括第一和第二延伸电极，从第一和第二结合焊盘延伸并分别连接至第一和第二导电型半导体层。根据本发明的电极排列可以防止结合焊盘与发光器件之间的直接连接，从而具有仅利用延伸电极就可获得更均匀电流分布的对称结构。

主权项

一种氮化物半导体发光器件，包括按其顺序沉积在基板上的第一导电型氮化物半导体层、活性层、和第二导电型氮化物半导体层，所述氮化物半导体发光器件包括：第一绝缘层和第二绝缘层，形成在所述氮化物半导体发光器件的上表面的不同部分上；第一结合焊盘，形成在所述第一绝缘层上；第二结合焊盘，形成在所述第二绝缘层上；第一延伸电极，从所述第一结合焊盘延伸，并连接至所述第一导电型氮化物半导体层；以及第二延伸电极，从所述第二结合焊盘延伸，并连接至所述第二导电型氮化物半导体层，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的尺寸分别比所述第一结合焊盘和所述第二结合焊盘大，并且所述第一绝缘层和所述第二绝缘层设置于所述第一结合焊盘和所述第二结合焊盘之下，从而电流只通过所述第一延伸电极和所述第二延伸电极而注入到氮化物半导体发光器件中。