空乏模式的电荷捕捉快闪装置

摘要

本发明公开了一种空乏模式的电荷捕捉快闪装置，位于一衬底之上，包含多个半导体线(例如与主体接触的鳍状物)。该些半导体线包含掺杂的埋藏通道区域，其可进行空乏模式运作。一储存结构位于该多个半导体在线，包含位于该鳍状物通道区域上的隧穿绝缘层、该隧穿绝缘层上的电荷储存层、以及该电荷储存层上的势垒绝缘层。多个字元线位于该储存结构之上，并跨越半导体线的通道区域，其中多个存储单元位于该字线与该半导体线的多个交叉点上。

主权项

一种非易失存储装置，其特征在于，包含：多条半导体线位于一衬底之上，该些半导体线包含多个埋藏通道区域，其已掺杂供空乏模式的运作；一储存结构位于该多条半导体线之上，包含一隧穿绝缘层位于该多个埋藏通道区域的鳍状物之上，一电荷储存层位于该隧穿绝缘层上，以及一势垒绝缘层位于该电荷储存层之上；多条字线位于该储存结构上，且与该些半导体线的该些通道区域交错，其中多个存储单元位于该些字线与该些半导体线的多个交叉点上。