发明名称 |
可增加写入裕量的静态随机存取存储器 |
摘要 |
本发明一种可增加写入裕量的静态随机存取存储器,至少包含:静态随机存取存储单元阵列,该静态随机存取存储单元阵列包含多个以阵列形式排列的静态随机存取存储单元;以及可控电源电路,连接于该静态随机存取存储单元阵列,用于给每个静态随机存取存储单元提供可控的电压,本发明在读出和保持模式下,静态随机存取存储单元阵列每列的供电电压及电源负端电压不变,当需要进行写入操作时,使被操作的静态随机存取存储单元所在列的供电电压减小或使得被操作的静态随机存取存储单元所在列的电源负端电压提高,其他列电压不变,这样可以使得本发明的静态随机存取存储单元可接受的低电平范围得以扩展,增加本发明静态随机存取存储器的写入裕量。 |
申请公布号 |
CN101814315A |
申请公布日期 |
2010.08.25 |
申请号 |
CN201010163847.3 |
申请日期 |
2010.04.29 |
申请人 |
上海宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
胡剑 |
分类号 |
G11C11/412(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/412(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种可增加写入裕量的静态随机存取存储器,至少包含:静态随机存取存储单元阵列,该静态随机存取存储单元阵列包含多个以阵列形式排列的静态随机存取存储单元;以及可控电源电路,连接于该静态随机存取存储单元阵列,用于给每个静态随机存取存储单元提供可控的电压。 |
地址 |
201203 上海市张江高科技园区郭守敬路818号 |