| 发明名称 | HEMT器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了HEMT器件以及用于制造HEMT器件的方法。根据本发明的一个方面，提供了一种HEMT器件，包括：在衬底上的半导体层；在上述半导体层上的隔离层；与上述半导体层接触的源极和漏极；以及在上述隔离层上的栅极和至少一个浮栅，该栅极和至少一个浮栅为双层结构，其中上层为导电层，下层为第一介质层。 | ||
| 申请公布号 | CN101320751B | 申请公布日期 | 2010.08.25 |
| 申请号 | CN200810098658.5 | 申请日期 | 2008.06.05 |
| 申请人 | 西安能讯微电子有限公司 | 发明人 | 张乃千 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 李峥;刘瑞东 |
| 主权项 | 一种HEMT器件，包括：在衬底上的半导体层；在上述半导体层上的隔离层；与上述隔离层接触的源极和漏极；以及在上述隔离层上的栅极和至少一个浮栅，该栅极和至少一个浮栅为双层结构，其中上层为导电层，下层为第一介质层。 | ||
| 地址 | 710075 陕西省西安市高新区高新一路25号创新大厦N701 | ||