发明名称 |
单相结构-高密度铟锡氧化物靶材的制备方法 |
摘要 |
本发明是一种单相结构、高密度铟锡氧化物靶材的制备方法,是一种以常压烧结法制备ITO靶材的方法。本发明是利用化学共沉淀法制备ITO复合粉体,在ITO粉体中加入粘结剂进行造粒并干燥,对造粒过后的ITO粉体模压成型得到初坯,再对初坯冷等静压得到素坯,对素坯进行脱蜡去除其中的粘结剂,最后把脱蜡过的素坯在高温氧氛围下烧结得到ITO靶材。本发明工艺简单,过程容易控制,缩短了在高温段的烧结时间,不用添加分散剂和烧结助剂,所需生产成本较低,素坯是粉体经过造粒后压制而成,烧结出的靶材成分更均匀,不容易开裂,且为单相结构、高密度。 |
申请公布号 |
CN101812665A |
申请公布日期 |
2010.08.25 |
申请号 |
CN201010136122.5 |
申请日期 |
2010.03.26 |
申请人 |
北京化工大学 |
发明人 |
刘家祥;刘宸;王玥 |
分类号 |
C23C14/34(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01)I |
代理机构 |
北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 |
代理人 |
刘萍 |
主权项 |
一种单相结构、高密度铟锡氧化物靶材的制备方法,其特征在于:以铟、锡金属,浓硝酸和逆王水为原料,金属铟、锡的加入量依据混合溶液中换算后的氧化铟和氧化锡质量百分比In2O3∶SnO2=90∶10加入,用化学共沉淀法制备铟锡氧化物复合粉体;所述化学共沉淀法是指把铟溶于浓硝酸,锡溶于逆王水,待铟和锡完全溶解后,将两种溶液混合,混合溶液经共沉淀、洗涤杂质离子、固液分离、共沸蒸馏、干燥、煅烧得到铟锡氧化物复合粉体;然后在铟锡氧化物粉体中加入粘结剂进行造粒并干燥,对造粒过后的粉体先模压成型得到初坯,再对初坯进行冷等静压得到素坯,对素坯进行脱蜡,最后把脱蜡过的素坯在氧氛围中进行烧结得到铟锡氧化物靶材。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北三环东路15号 |