半导体存储器器件、半导体存储器阵列及写入方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件，它包括一个源极、一个漏极、一个浮栅区、一个控制栅极、一个凹陷沟道区域以及一个用于连接浮栅区和漏极的栅控p-n结二极管。所述半导体器件的浮栅区用于存储电荷，它可以通过栅控p-n结二极管充电或放电。本发明还公开了一种由多个所述的半导体存储器器件、多条字线、多条位线和多条源线组成的半导体存储器阵列；以及一种选中多个述半导体存储器器件中的一个来对其写入的方法。本发明能够实现高速存取，并且单元面积小、数据保持力强。

主权项

一种半导体存储器器件，包括： 一个具有第一种掺杂类型的半导体衬底； 在所述半导体衬底上形成的具有第二种掺杂类型的源区和漏区；其特征在于：还包括，在所述半导体衬底内形成的介于所述源区和漏区之间的一个凹陷沟道区域； 在所述凹陷沟道区域之上形成的覆盖整个凹陷沟道区域的第一层绝缘膜； 在该第一层绝缘膜之上形成的一个作为电荷存储节点的具有导电性的浮栅区； 在所述漏区和所述浮栅区之间形成的一个p-n结二极管； 以导电材料形成的用于将所述源区和所述漏区与外部电极相连接的源区的接触体和漏区的接触体； 在所述p-n结二极管与所述漏区的接触体之间形成的第二层绝缘膜； 在所述浮栅区之上形成并延伸至所述p-n结二极管部分的第三层绝缘膜；以及 在所述第三层绝缘膜之上形成的控制栅极。