| 发明名称 | 一种互补栅控PNPN场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种互补栅控PNPN场效应晶体管及其制备方法。该晶体管由源极为窄禁带宽度的凹陷沟道的N型栅控PNPN场效应晶体管和P型栅控PNPN场效应晶体管组成。所述晶体管的凹陷沟道使其漏电流得到了抑制，同时，该晶体管采用了窄禁带宽度材料，其驱动电流也得到了提升。本发明还公开了上述晶体管的制造方法。本发明所提出的晶体管具有低漏电流、高驱动电流、低功耗、集成度高等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN101814503A | 申请公布日期 | 2010.08.25 |
| 申请号 | CN201010141734.3 | 申请日期 | 2010.04.08 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 王鹏飞;臧松干;张卫 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
| 主权项 | 一种互补栅控PNPN场效应晶体管，其特征在于，该晶体管包括一个半导体衬底、在所述半导体衬底上形成的一个源极为窄禁带宽度的N型栅控PNPN场效应晶体管和一个源极为窄禁带宽度的P型栅控PNPN场效应晶体管。 | ||
| 地址 | 200433 上海市邯郸路220号 | ||