发明名称 |
利用半导体PN结结电容构成的电容器及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种利用半导体PN结结电容构成的电容器及其制作方法。该电容器以一块半导体作为基材,其电容是半导体PN结的结电容,具体包括:在一块高掺杂低阻的P型或N型半导体基材上采用扩散法或离子注入法在特定区域内形成的PN结;在形成PN结的半导体的N型区域和P型区域上采用热蒸发法、电子束蒸发法或溅射法制作的一金属膜层;在该金属膜层上采用电镀方法或丝网印刷方法制作的电极凸点;根据实际需要,引出电极可以在半导体基材的两面,或者只在刻蚀区面。本发明制作的电容器,具有结构简单,电容密度大,寄生参数小,制作工艺过程简单等优点,该电容还具有对静电和电涌的防护功能,可广泛用于高频高速高功率电子系统中。 |
申请公布号 |
CN101814531A |
申请公布日期 |
2010.08.25 |
申请号 |
CN200910077360.0 |
申请日期 |
2009.02.19 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
万里兮;吕垚;李宝霞 |
分类号 |
H01L29/92(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/92(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
一种利用半导体PN结结电容构成的电容器,其特征在于,该电容器以一块半导体作为基材,其电容是半导体PN结的结电容,具体包括:在一块高掺杂低阻的P型或N型半导体基材上采用扩散法或离子注入法在特定区域内形成的PN结;在形成PN结的半导体的N型区域和P型区域上采用热蒸发法、电子束蒸发法或溅射法制作的一金属膜层;在该金属膜层上采用电镀方法或丝网印刷方法制作的电极凸点;以及在半导体基材的两面或者只在刻蚀区面引出的电极。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |