垂直场效应晶体管的制作方法

摘要

本发明提供一种垂直场效应晶体管的制作方法。该方法能高度再现且可低成本地制作垂直有机场效应晶体管。此外，该方法并不需要使用光刻和遮蔽掩膜。在垂直场效应晶体管中，在衬底上形成源电极，并形成绝缘层和间断栅电极。然后，形成电荷载流子阻挡层、有机半导体材料和漏电极。使用纳米颗粒来形成栅电极。

主权项

一种垂直场效应晶体管的制作方法，该方法包括：在衬底上形成第一电极；在第一电极的一个表面上形成绝缘层；通过使用纳米颗粒在绝缘层上形成间断栅电极；在间断栅电极的至少一部分上形成电荷载流子阻挡层；形成覆盖了间断栅电极的间断部分的有机半导体层；和在有机半导体层和间断栅电极上形成第二电极，其中间断栅电极的形成包括：通过使用栅电极形成材料来形成连续栅电极；和通过使用纳米颗粒悬浮液在连续栅电极中形成凹槽，从而形成间断栅电极，其中电荷载流子阻挡层的形成包括间断栅电极的至少一个表面的热氧化、等离子氧化和/或阳极氧化，其中，电荷载流子阻挡层为通过使金属纳米颗粒氧化而形成的绝缘层。