| 发明名称 | 具有通过使用非晶氧化物膜而形成的栅绝缘层的场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 一种场效应晶体管包括在衬底10上形成的沟道层11、源电极13、漏电极14、栅绝缘层12和栅电极15。该沟道层由非晶氧化物制成，并且该栅绝缘层由包含Y的非晶氧化物制成。 | ||
| 申请公布号 | CN101405870B | 申请公布日期 | 2010.08.25 |
| 申请号 | CN200780009802.7 | 申请日期 | 2007.03.15 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 加地信幸;薮田久人 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 康建忠 |
| 主权项 | 一种场效应晶体管，包括在衬底上形成的沟道层、源电极、漏电极、栅绝缘层和栅电极，其特征在于，所述沟道层由非晶氧化物制成，并且所述栅绝缘层由包含Y的非晶氧化物制成。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||