发明名称 | 半导体存储器以及半导体存储器的操作方法 | ||
摘要 | 向将位线连接到预充电电压线上的nMOS晶体管(预充电电路)的栅极提供位线复位信号。将位线复位信号的高电平电压在刷新操作之后的预充电操作过程中保持为第一电压,在存取操作之后的预充电操作过程中保持为第二电压。因此,在刷新操作之后的预充电操作过程中不使用第二电压,从而减小了第二电压的生成电路的消耗电流。特别是能够减小连续产生内部刷新请求的待机期间中的消耗电流(待机电流)。 | ||
申请公布号 | CN1926633B | 申请公布日期 | 2010.08.25 |
申请号 | CN200480042360.2 | 申请日期 | 2004.03.11 |
申请人 | 富士通微电子株式会社 | 发明人 | 川畑邦范;大塚修三 |
分类号 | G11C11/403(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/403(2006.01)I |
代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 赵淑萍 |
主权项 | 一种半导体存储器,其特征在于,包括:存储器核心,该存储器核心具有动态存储器单元、与所述动态存储器单元连接的位线、以及包含将所述位线连接到预充电电压线上的nMOS晶体管的预充电电路;开关电路,根据开关控制信号输出第一电压或者比该第一电压高的第二电压中的一个;以及信号生成电路,生成提供给所述nMOS晶体管的栅极的位线复位信号,并将所述位线复位信号的高电平电压设定为从所述开关电路输出的所述第一或者第二电压中的一个;其中,在响应于内部刷新请求的第一预充电操作过程中将所述位线复位信号保持为所述第一电压,在响应于存取请求的第二预充电操作过程中将所述位线复位信号保持为所述第二电压。 | ||
地址 | 日本东京都 |