积层电容器

摘要

本发明提供一种可同时满足高静电电容和低ESL的积层电容器。介电体芯片101的构造为，将位于同一平面且互相不接触的第1内部导体层112及第2内部导体层113、与位于同一平面且互相不接触的第3内部导体层114及第4内部导体层115介隔介电体层111而交替积层成一体，并且将所述介电体芯片101构成为，可通过引出部112a、115a，从第1外部电极102对第1内部导体层112和第4内部导体层115赋予一个极性，并可通过引出部113a、114a，从第2外部电极103对第2内部导体层113和第4内部导体层114赋予另一极性。

主权项

一种积层电容器，其特征在于：包括：长方体形状的介电体芯片；以及8个以上的外部电极，其设置在介电体芯片的侧面上，且交替赋予不同极性；外部电极在介电体芯片的相对的一个侧面至少设置4个，且在另一侧面至少设置4个；介电体芯片的构造为，将位于同一平面且互相不接触的第1内部导体层及第2内部导体层、与位于同一平面且互相不接触的第3内部导体层及第4内部导体层介隔介电体层，而交替积层成一体；第1内部导体层与第3内部导体层介隔介电体层而相向，第2内部导体层与第4内部导体层介隔介电体层而相向；第1内部导体层在其侧缘至少具有2个外部电极用引出部，且各外部电极用引出部分别与其中一个极性的外部电极连接；所述第1内部导体层的外部电极用引出部在第1内部导体层所相对的其中一个侧缘至少设置1个，且在另一侧缘至少设置1个；第2内部导体层在其侧缘至少具有2个外部电极用引出部，且各外部电极用引出部分别与另一极性的外部电极连接；所述第2内部导体层的外部电极用引出部在第2内部导体层所相对的其中一个侧缘至少设置1个，且在另一侧缘至少设置1个；第3内部导体层在其侧缘至少具有2个外部电极用引出部，且各外部电极用引出部分别与另一极性的其他外部电极连接；所述第3内部导体层的外部电极用引出部在第3内部导体层所相对的其中一个侧缘至少设置1个，且在另一侧缘至少设置1个；并且第4内部导体层在其侧缘至少具有2个外部电极用引出部，且各外部电极用引出部分别与其中一个极性的其他外部电极连接；所述第4内部导体层的外部电极用引出部在第2内部导体层所相对的其中一个侧缘至少设置1个，且在另一侧缘至少设置1个。