发明名称 光掩模的制造方法和利用光掩模制造半导体器件的方法
摘要 本发明提供一种基于设计数据的光掩模制造方法,该方法包括如下步骤:形成包含光掩模上的版图图案中的图形元素和由于光学临近效应影响该图形元素的图形元素组,将标识数据添加到表示相同的图形元素组的数据组,评估光学临近效应对图形元素组的影响,生成表示校正的图形元素的校正数据,在校正的图形元素中补偿曝光时光学临近效应的影响,通过使具有相同标识数据的数据与具有该相同标识数据的校正数据相关联,生成图形数据,以及利用图形数据在光掩模上形成掩模图案。因此,可以减少校正版图的计算时间,从而减少光掩模的生产时间。
申请公布号 CN1841388B 申请公布日期 2010.08.25
申请号 CN200510108434.4 申请日期 2005.10.08
申请人 富士通微电子株式会社 发明人 二谷广贵;森下和正
分类号 G06F17/50(2006.01)I;G03F1/08(2006.01)I 主分类号 G06F17/50(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人 郑小军;郑特强
主权项 一种以表示多个第一图形元素的设计数据为基础的光掩模制造方法,包括如下步骤:从表示第一图形元素的设计数据中提取第一数据;对于各个第一图形元素形成第一图形元素组,该第一图形元素组包含该第一图形元素和由于光学临近效应影响该第一图形元素的另外多个第一图形元素;对于表示该第一图形元素组的第一数据组生成标识数据,该标识数据是响应于该第一图形元素和所述另外多个第一图形元素而生成的;将该标识数据分配给表示该第一图形元素组的该第一数据组;评估该第一图形元素与图像之间的形状差别,该图像是在光学临近效应对该第一图形元素组的影响下根据该第一图形元素而产生的;生成表示第二图形元素的第二数据,以补偿光学临近效应对该第一图形元素组的影响;通过该标识数据来检索相同第一数据组,该相同第一数据组包含相同的第一数据;通过将相同的第二数据分配给相同的第一数据,设置表示多个第二图形元素的图形数据,其中所述相同的第一数据包含在具有相同标识数据的相同第一数据组中;以及利用该图形数据在光掩模上形成光掩模图案。
地址 日本东京都