| 发明名称 | 垂直在SOI结构衬底上的ZnO纳米结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种垂直在SOI结构衬底上的ZnO(氧化锌)纳米结构及其制备方法。本发明垂直在SOI结构衬底上的ZnO纳米结构是在SOI结构衬底表面垂直生长有呈六边形结构的ZnO纳米盘，ZnO纳米盘均是六方纤锌矿结构的单晶，其为厚度相对于对角线长度小得多的超薄结构，其厚度和对角线长度分别介于10～20nm和0.8～3μm，因此具有超薄的形貌特征。本发明纳米盘的制备采用化学气相沉积方法，所用设备简单，易于操作；对载气要求不高，只需要氩气就可以，不需要加氧气(利用瓷管内残余氧气来同蒸发的锌蒸气进行反应生成氧化锌)等另外的气体；并且不需要使用金属催化剂，能保证较高的晶体质量。 | ||
| 申请公布号 | CN101127380B | 申请公布日期 | 2010.08.25 |
| 申请号 | CN200710028474.7 | 申请日期 | 2007.06.07 |
| 申请人 | 中山大学 | 发明人 | 李宝军;陈钰杰;余丁山 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L31/0392(2006.01)I;H01L31/0296(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L21/365(2006.01)I;C30B29/66(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人 | 林丽明 |
| 主权项 | 一种垂直在SOI结构衬底上的ZnO纳米结构，其特征在于在SOI结构衬底表面垂直生长有呈六边形结构的ZnO纳米盘。 | ||
| 地址 | 510275 广东省广州市海珠区新港西路135号 | ||