| 发明名称 | 抗等离子体层的低温气浮沉积 | ||
| 摘要 | 本发明的实施方式提供一种在半导体腔室部件/零件上抗等离子体层的低温气浮沉积方法。在一个实施方式中，用于低温气浮沉积的方法包括在气浮发生器中形成细颗粒的气浮，将来自发生器的所述气浮朝向衬底表面分配至处理腔室中，维持所述衬底温度在约0摄氏度和50摄氏度之间，以及在所述衬底表面上沉积来自所述气浮中的材料的层。 | ||
| 申请公布号 | CN101168842B | 申请公布日期 | 2010.08.25 |
| 申请号 | CN200710163843.3 | 申请日期 | 2007.09.30 |
| 申请人 | 应用材料股份有限公司 | 发明人 | 珍妮弗·Y·孙;埃尔米拉·赖亚博瓦;塞恩·撒奇;熹·朱;西姆仁·L·卡茨 |
| 分类号 | C23C24/08(2006.01)I;B05D1/12(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | C23C24/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国;梁挥 |
| 主权项 | 一种用于半导体处理腔室部件的低温气浮沉积的方法，包括：通过向气浮发生器中提供载气并且将所述载气携带的细颗粒喷射至所述处理腔室而在气浮发生器中形成细颗粒的气浮；维持所述气浮发生器中的所述载气的压力在10Pa和50Pa之间；将来自所述发生器的所述气浮以250m/s和1750m/s之间的速率朝向包含一种材料的衬底表面分配至所述处理腔室中；维持所述衬底温度在0摄氏度和50摄氏度之间；在所述衬底的表面中嵌入至少一部分所述细颗粒以形成包含所述细颗粒与衬底材料的合金的粘接层；以及在所述粘接层上将来自所述气浮中的材料沉积为层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||