制造阵列基板的方法

摘要

本发明提供一种制造阵列基板的方法，该阵列基板用于显示设备，该方法包括：在基板上形成栅极线和栅极；形成栅极绝缘层和本征非晶硅层；形成氧化物半导体层并增强其导电性能；形成金属层；形成第一和第二光致抗蚀剂图案，第二光致抗蚀剂图案具有比第一光致抗蚀剂图案更薄的厚度；形成数据线、源漏极图案、氧化物半导体图案和有源层；去除第二光致抗蚀剂图案并暴露源漏极图案；用第一蚀刻剂湿蚀刻源漏极图案以形成源、漏极；用第二蚀刻剂湿蚀刻氧化物半导体图案以形成欧姆接触层；去除第一光致抗蚀剂图案；在源、漏极上形成具有暴露漏极的漏极接触孔的钝化层；及形成通过漏极接触孔连接到漏极的像素电极，其中有源层在开关区域中具有均匀的厚度。

主权项

一种制造用于显示设备的阵列基板的方法，包括如下步骤：在限定有包含开关区域的像素区域的基板上形成栅极线和栅极；在所述栅极线和栅极上形成栅极绝缘层和本征非晶硅层；在该本征非晶硅层上形成氧化物半导体层；增强该氧化物半导体层的导电性能，使得该氧化物半导体层具有欧姆特性；在具有欧姆特性的该氧化物半导体层上形成金属层；在该金属层上形成第一和第二光致抗蚀剂图案，该第一光致抗蚀剂图案具有第一厚度，该第二光致抗蚀剂图案具有比该第一厚度更薄的第二厚度；通过使用所述第一和第二光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模，对所述金属层、氧化物半导体层和本征非晶硅层图案化，形成数据线、源漏极图案、氧化物半导体图案和有源层，其中该有源层设置在该开关区域中的栅极上方，该氧化物半导体图案设置在该有源层上，该数据线与栅极线交叉以限定该像素区域，并且该源漏极图案与数据线连接且设置在该氧化物半导体图案上；去除该第二光致抗蚀剂图案，并且暴露出该源漏极图案；使用第一蚀刻剂来湿蚀刻通过去除该第二光致抗蚀剂图案而暴露出的源漏极图案，以形成源极和漏极，并且暴露出该氧化物半导体图案；使用第二蚀刻剂来湿蚀刻通过湿蚀刻该源漏极图案而暴露出的氧化物半导体图案，以形成欧姆接触层，并且暴露出该有源层；去除该第一光致抗蚀剂图案，并且暴露出所述源极和漏极；在通过去除该第一光致抗蚀剂图案而暴露出的源极和漏极上以及在通过湿蚀刻该氧化物半导体图案而暴露出的有源层上形成钝化层，该钝化层具有暴露出该漏极的漏极接触孔；以及在该像素区域中的钝化层上形成像素电极，该像素电极通过该漏极接触孔与该漏极连接，其中该有源层在该开关区域中具有均匀的厚度。