| 发明名称 | 制造具有较小的栅极高度的晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种形成具有较小的栅极高度的集成电路晶体管的方法和系统。本方法形成层状结构，该层状结构具有衬底、该衬底之上的栅极导体(13)、该栅极导体(13)之上的至少一个牺牲层(14-16)。该工艺将该层状结构构图为至少一个从该衬底上延伸的栅极叠层，形成与该栅极相邻的隔离垫(60)，对不受隔离垫保护的衬底的区域进行掺杂以形成与该栅极叠层相邻的源漏区(71)，并且去除隔离垫(60)和牺牲层(14-16)。 | ||
| 申请公布号 | CN101405858B | 申请公布日期 | 2010.08.25 |
| 申请号 | CN200480023405.1 | 申请日期 | 2004.06.29 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 希姆扬·帕克;保罗·D·阿格尼洛;珀西·V·吉尔伯特;布扬·H·李;帕特里夏·A·奥尼尔;格瓦姆·G·沙希迪;杰弗里·J·韦尔泽 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/425(2006.01)I;H01L21/4763(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 一种形成具有较小的栅极高度的集成电路晶体管的方法，所述方法包括：形成层状结构，该结构具有衬底、所述衬底之上的栅极导体(13)以及所述栅极导体(13)之上的至少一个牺牲层(14-16)；将所述层状结构构图为至少一个从所述衬底上延伸的栅极叠层；形成与所述栅极叠层相邻的隔离垫(60)；对不受所述隔离垫(60)保护的所述衬底的区域进行掺杂，以形成与所述栅极叠层相邻的源漏区(71)；并且去除所述隔离垫(60)和所述牺牲层(14-16)；其中所述隔离垫(60)的尺寸由所述栅极导体(13)和所述牺牲层(14-16)的组合高度来控制，从而与仅仅达到所述栅极导体(13)的高度的情况相比，达到所述组合高度的所述隔离垫(60)提供更大的间隔。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||