发明名称 一种半导体设备保护用直流熔断体
摘要 本实用新型公开了一种半导体设备保护用直流熔断体,包括熔管、若干片熔体、灭弧介质及一对触刀,所述熔管的端面开设一散热空腔,以及在该散热空腔的周围端面上均布开设若干个熔体空腔;所述每片熔体的一表面上设有一锡桥;所述每片熔体的表面上间隔一致地开设多列大孔以及分别在每列大孔的一旁开设一列小孔,所述每列大孔中含有多个尺寸相同并且纵向间隔距离为δ1直径为D1的大直径孔,所述每列小孔中含有多个尺寸相同并且纵向间隔距离为δ2直径为D2的小直径孔,每片熔体均以一列大孔和一列小孔为折痕弯折成方波形状后一一对应地穿插在所述熔管的熔体空腔中;所述灭弧介质填充在每个熔体空腔与熔体之间;所述一对触刀紧固在熔管的两端。
申请公布号 CN201562649U 申请公布日期 2010.08.25
申请号 CN200920212155.6 申请日期 2009.11.10
申请人 上海电器陶瓷厂有限公司 发明人 林海鸥;戎峰;徐鹤;沈一鸣;陈妍
分类号 H01H85/042(2006.01)I;H01H85/08(2006.01)I;H01H85/38(2006.01)I;H01H85/47(2006.01)I 主分类号 H01H85/042(2006.01)I
代理机构 上海兆丰知识产权代理事务所(有限合伙) 31241 代理人 黄美英
主权项 一种半导体设备保护用直流熔断体,包括熔管、若干片熔体、灭弧介质及一对触刀,其特征在于,所述熔管的端面中央开设一散热空腔,并在该散热空腔的周围端面上均布开设若干个熔体空腔;所述每片熔体的一表面上并且在靠近熔体长度方向的中心处均设有一锡桥;所述每片熔体的表面上在其长度方向间隔一致地开设多列大孔以及分别在每列大孔的一旁开设一列小孔,所述每列大孔中含有多个尺寸相同并且纵向间隔距离为δ1直径为D1的大直径孔,所述每列小孔中含有多个尺寸相同并且纵向间隔距离为δ2直径为D2的小直径孔,每片熔体均以一列大孔和一列小孔为折痕弯折成方波形状后一一对应地穿插在所述熔管的熔体空腔中;所述灭弧介质填充在每个熔体空腔与熔体之间;所述一对触刀紧固在熔管的两端并且其内表面分别与每片熔体的两端连接。
地址 200071 上海市闸北区青云路517号