| 发明名称 | 一种具有横向光伏效应的无机有机半导体复合器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于材料制备和传感器技术领域，具体为一种具有横向光伏效应的无机有机半导体复合器件及其制备方法。该器件是由磁性金属材料和有机半导体材料通过共蒸发的方法，沉积在无机半导体衬底上获得。其中，磁性金属材料纳米颗粒均匀镶嵌于有机半导体基底中，表达式为(A)x(B)1-x，x＝0.3-0.9，其中A为磁性金属材料，B为有机半导体材料，器件结构为(A)x(B)1-x/Si或(A)x(B)1-x/SiO2/Si，该类器件可广泛用于位置传感器等元器件。 | ||
| 申请公布号 | CN101814582A | 申请公布日期 | 2010.08.25 |
| 申请号 | CN201010138015.6 | 申请日期 | 2010.04.01 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 倪刚;张岩;刘文明 |
| 分类号 | H01L51/42(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
| 主权项 | 一种具有横向光伏效应的无机有机半导体复合器件，其特征在于该器件是由磁性金属材料和有机半导体材料通过共蒸发的方法，沉积在无机半导体衬底上获得，磁性金属材料以纳米颗粒形式均匀镶嵌于有机半导体材料做成的基底中，形成复合纳米颗粒膜层，该膜层厚度为20nm～1500nm，表达式为(A)x(B)1-x，x＝0.3-0.9，其中A为磁性金属材料，B为有机半导体材料，器件结构为(A)x(B)1-x/Si或(A)x(B)1-x/SiO2/Si。 | ||
| 地址 | 200433 上海市邯郸路220号 | ||