半导体结构、电熔线及其形成方法

摘要

本发明提供一种半导体结构、电熔线及其形成方法，该半导体结构包括介电层，位于浅沟槽隔离区上，以及接触栓塞，形成于该第一介电层内，由该第一介电层的表面贯穿至该浅沟槽隔离区上，其中该接触栓塞包括中间区，该中间区实质上比两个末端区狭窄，且该接触栓塞完全位于该浅沟槽隔离区上。该接触栓塞形成熔线元件，该半导体结构还包括两个金属线位于在该介电层上，其中两个金属线分别连接到该接触栓塞不同的末端区。本发明的熔线元件及其连接的金属线为金属对金属的接触，其可改善接触并减少接触阻抗，在接触区域较少发生烧坏现象，所以程序化电压及程序化时间较易控制。

主权项

一种半导体结构，包含：浅沟槽隔离区；第一介电层，位于该浅沟槽隔离区上；接触栓塞，形成于该第一介电层内，由该第一介电层的表面贯穿至该浅沟槽隔离区上，该接触拴塞的表面为一平坦的表面，且与该第一介电层的表面齐平，其中该接触栓塞包括中间区以及两个末端区，该中间区比该两个末端区狭窄，且该接触栓塞完全位于该浅沟槽隔离区上；硅长条，位于该浅沟槽隔离区上，且与该接触栓塞的长边方向垂直，其中该接触栓塞的中间区在该硅长条之上，且该接触栓塞比该硅长条厚；以及两个金属线，位于第二介电层中，该第二介电层位于该第一介电层上，其中该两个金属线分别连接到该接触栓塞的两个末端区。