导电膜、电子发射器件和图像显示设备

摘要

一种在衬底上形成的由金属或合金制成的厚度从3nm到50nm的导电膜，其中所述导电膜的密度对该金属或合金的块体密度的比为0.2到0.5，所述导电膜的电阻率对该金属或合金的块体电阻率的比是100到100000。

主权项

一种衬底上形成的由合金制成的厚度从3nm到50nm的导电膜，其中所述导电膜由从过渡金属组A以及贵金属组B中选择的两种或更多种的元素制成，其中所述过渡金属组A由Ni和Co构成，所述贵金属组B由Pd、Pt、Ir、和Rh构成，并且合金中过渡金属组A材料对贵金属组B材料的元素比是2或更大，以及其中按照元素比，所述导电膜含有30％或更多的石墨碳。