光刻掩模基板,光刻掩模,曝光掩模,光刻掩模基板制造方法,以及半导体装置制造方法

摘要

一种被曝光系统的掩模台吸附的光刻掩模基板，在光刻掩模基板的主表面上除了从外部外围端部表面向内2mm的区域，平面测量区域的平整度为0.6μm或者更小，光刻掩模基板主表面的一边被掩模台吸附，以及平面测量区域的四个角部分中的至少三个具有朝向外部外围边缘上升的形状。

主权项

一种被曝光系统的掩模台吸附的光刻掩模基板，其中：除了从光刻掩模基板主表面上的外部外围端部表面向内2mm的区域，矩形平面测量区域的平整度为0.6μm或更少，光刻掩模基板主表面的一边被掩模台吸附，平面测量区域，包括一个图案区域，该图案区域是一个矩形区域，用于形成掩模图案，以及在平面测量区域的角部分的形状是这样的，对在对角线方向上的主表面的表面形状做测量，以在主表面上除了从外部外围端部表面向内15mm的区域之外的内部矩形区域的角的高度为参考，在主表面上除了从外部外围端部表面向内10mm的区域之外的外部矩形区域的角的高度不少于-0.02μm且不超过0.05μm，该对角线方向通过主表面的中心且连接光刻掩模基板的四个角部分的两个角点。