| 发明名称 | 一种对肖特基势垒高度进行镜像力补偿修正的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种对采用J-V标准法提取的肖特基势垒高度进行镜像力补偿修正的方法，包括：结合GaN高电子迁移率晶体管器件结构，推导无界面层或者界面层在20埃以内的可视为理想肖特基势垒高度因镜像力而导致的降低量<img file="200910078557.6_AB_0.GIF" wi="46" he="31" />；构造关于热平衡态肖特基势垒高度<img file="200910078557.6_AB_1.GIF" wi="25" he="28" />的一元高次函数，并根据正向电压下镜像力影响势垒高度的规律，确定等效势垒降低量来近似代替某一电压范围对势垒降低的累计影响；用MATLAB编程求解一元高次函数的零点，零点中满足大于标准J-V测量获得的势垒高度值<img file="200910078557.6_AB_2.GIF" wi="36" he="31" />的最近值即为修正的肖特基势垒高度值。本发明补偿了由于镜像力导致的势垒高度的降低，合理的获得热平衡态势垒高度，从全新的角度对势垒高度进行修正。 | ||
| 申请公布号 | CN101814100A | 申请公布日期 | 2010.08.25 |
| 申请号 | CN200910078557.6 | 申请日期 | 2009.02.25 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 王鑫华;赵妙;刘新宇 |
| 分类号 | G06F17/50(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1.一种对采用J-V标准法提取的肖特基势垒高度进行镜像力补偿修正的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：结合GaN高电子迁移率晶体管器件结构，推导无界面层或者界面层在20埃以内的可视为理想肖特基的势垒降低量<img file="F2009100785576C0000011.GIF" wi="101" he="47" />该降低量<img file="F2009100785576C0000012.GIF" wi="75" he="47" />因镜像力而导致；步骤2：构造关于热平衡态肖特基势垒高度<img file="F2009100785576C0000013.GIF" wi="41" he="38" />的一元高次函数，并根据正向电压下镜像力影响势垒高度的规律，确定等效势垒降低量来近似代替某一电压范围对势垒降低的累计影响；步骤3：用MATLAB编程求解一元高次函数的零点，零点中满足大于标准J-V测量获得的势垒高度值<img file="F2009100785576C0000014.GIF" wi="61" he="49" />的最近值即为修正的肖特基势垒高度值。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||