用于半导体器件制造的掩模图形及其相关方法和结构

摘要

形成集成电路器件的方法可以包括在集成电路器件层上形成抗蚀剂图形，通过抗蚀剂图形的开口露出部分层。在抗蚀剂图形上可以形成有机-无机混合硅氧烷网状薄膜。然后通过抗蚀剂图形和有机-无机混合硅氧烷网状薄膜露出的部分层可以被除去。也论述了相关结构。

主权项

一种形成集成电路器件的方法，该方法包括：在集成电路器件层上形成抗蚀剂图形，其中通过抗蚀剂图形的开口露出部分层；以及在抗蚀剂图形上涂敷通过四烷氧基硅烷交联剂和三烷氧基-单烷基硅烷偶联剂的水解和凝聚而得到的硅氧烷低聚物，并在抗蚀剂图形上的部分硅氧烷低聚物处引起溶胶-凝胶反应，从而在抗蚀剂图形上形成有机-无机混合硅氧烷网状薄膜。