场发射显示器;FIELD EMISSION DISPLAY

摘要

本发明提供一种场发射显示器,解决电子束发散之问题。本发明之场发射显示器包括：互相间隔开之阴极及阳极，形成在阴极上之绝缘层，形成在绝缘层上之栅极，以及与阴极电连接之电子发射体；其中，对应于同一像素之电子发射体分布在该像素对应之栅极之两侧，并且对应于该像素之电子发射体之顶端靠近但低于该像素对应之栅极。电子发射体具有可发射电子之尖端，该尖端低于栅极之下表面。阴极及阳极之间藉由绝缘侧壁间隔开，并形成封闭空间；阳极表面形成有荧光层；电子发射体包括奈米碳管。如此，栅极具有发射电子及聚焦电子之双重作用，实现发射电子及控制电子发射方向之目的。

主权项

1.一种场发射显示器，其包括至少一像素，且每一像素包括：一绝缘基底；一阴极，形成于该绝缘基底之表面；一栅极，形成于一绝缘层上并通过该绝缘层与阴极间隔开；一透明基板，其系以面对绝缘基底形成有阴极之表面之方式设置，并且通过绝缘侧壁与阴极间隔开；一阳极，其形成于该透明基板面对阴极之表面；一荧光层形成于阳极上；以及复数电子发射体，形成于阴极上；其中，每一像素之荧光层与一栅极对应设置，对应于同一像素之电子发射体分布于该像素对应之栅极之两侧，并且对应于该像素之电子发射体之顶端靠近但低于该像素对应之栅极。 ;2.根据申请专利范围第1项所述之场发射显示器，其中所述电子发射体系选自奈米碳管，碳纤维，石墨碳，金刚石，或金属其中之一。 ;3.根据申请专利范围第2项所述之场发射显示器，其中所述电子发射体之根部与阴极相连。 ;4.根据申请专利范围第3项所述之场发射显示器，其中所述电子发射体垂直于阴极。 ;5.根据申请专利范围第3项所述之场发射显示器，其中电子发射体之高度小于其对应之绝缘层之厚度。 ;6.根据申请专利范围第5项所述之场发射显示器，其中所述电子发射体发射之电子束受到其对应之栅极之电场作用聚焦到对应之像素区域。 ;7.根据申请专利范围第1项所述之场发射显示器，其中所述阴极是带状。 ;8.根据申请专利范围第7项所述之场发射显示器，其中所述绝缘层是垂直阴极之长度方向压置于阴极上。 ;9.根据申请专利范围第8项所述之场发射显示器，其中所述绝缘层是楔形结构，其与阴极接触之底面宽度最大，与栅极接触之顶面宽度最小。 ;10.根据申请专利范围第9项所述之场发射显示器，其中所述绝缘层系长条形。 ;11.根据申请专利范围第6项所述之场发射显示器，其中阴极包括一导电薄膜。 ;12.根据申请专利范围第11项所述之场发射显示器，其中所述导电薄膜包括ITO导电膜。 ;13.根据申请专利范围第1项所述之场发射显示器，其中所述透明基板包括玻璃。 ;14.根据申请专利范围第1项所述之场发射显示器，其中绝缘侧壁系密封形成于绝缘基底及透明基板之周围。;第一图是本发明场发射显示器实施例之结构示意图。;第二图是本发明场发射显示器实施例之发射电子原理示意图。;第三图是本发明场发射显示器之实施例之电子发射体及栅极结构之放大示意图。;第四图至第六图是本发明采用不同结构之电子发射端示意图。;第七图是现有技术三极型场发射显示器之结构及电子发射示意图。;第八图是美国专利第6,445,124号揭露之场发射装置结构示意图。