画素结构;PIXEL STRUCTURE

摘要

一种画素结构，设置于基板上，基板具有阵列排列的多个画素区域，且画素结构设置于各画素区域中。画素结构包括扫描线、闸极、闸绝缘层、半导体层、资料线、源极与汲极、第一保护层、共用线、共用电极、第二保护层以及画素电极。闸绝缘层覆盖扫描线与闸极。半导体层设置于闸极上方的闸绝缘层上。源极与汲极设置于半导体层的两侧。第一保护层覆盖资料线、源极与汲极。共用线设置于第一保护层上，且至少与资料线部份重叠。共用电极设置于共用线上且与共用线电性连接。第二保护层覆盖共用电极与共用线。

主权项

1.一种画素结构，设置于一基板上，该基板具有阵列排列的多个画素区域，且该画素结构设置于各该画素区域中，该画素结构包括：一扫描线及一闸极，设置于各该画素区域中；一闸绝缘层，覆盖该扫描线与该闸极；一半导体层，设置于该闸极上方的该闸绝缘层上；一资料线、一源极与一汲极，设置于各该画素区域中，而该源极与该汲极设置于该半导体层的两侧；一第一保护层，覆盖该资料线、该源极与该汲极；一共用线，设置于该第一保护层上，且至少与该资料线部份重叠；一共用电极，设置于该共用线上且与该共用线电性连接；一第二保护层，覆盖该共用电极与该共用线，其中该汲极上方的该第二保护层中具有一接触窗开口；以及一画素电极，设置于各该画素区域中，该画素电极藉由该接触窗开口与该汲极电性连接。 ;2.如申请专利范围第1项所述的画素结构，其中该共用线环绕于各该画素区域的周围。 ;3.如申请专利范围第1项所述的画素结构，其中该共用线环绕于各该画素区域的部分周围，且与该扫描线重叠、部份重叠或不重叠。 ;4.如申请专利范围第1项所述的画素结构，其中该接触窗开口形成于该汲极上方的该第一保护层中。 ;5.如申请专利范围第1项所述的画素结构，其中该画素电极具有多个狭缝。 ;6.如申请专利范围第1项所述的画素结构，其中该共用线的材料包括铬或钼。 ;7.如申请专利范围第1项所述的画素结构，其中该共用电极的材料包括铟锡氧化物或铟锌氧化物。 ;8.如申请专利范围第1项所述的画素结构，其中该扫描线与该闸极的材料包括铬或钼。 ;9.如申请专利范围第1项所述的画素结构，其中该闸绝缘层的材料包括氮化矽。 ;10.如申请专利范围第1项所述的画素结构，其中该第一保护层的材料包括氮化矽。 ;11.如申请专利范围第1项所述的画素结构，其中该半导体层的材料包括非晶矽。 ;12.如申请专利范围第1项所述的画素结构，其中该资料线、该源极与该汲极的材料包括铬或钼。 ;13.如申请专利范围第1项所述的画素结构，其中该第二保护层的材料包括氮化矽。 ;14.如申请专利范围第1项所述的画素结构，其中该画素电极的材料包括铟锡氧化物或铟锌氧化物。;图1为习知一种画素结构的上视示意图。;图2为本创作之一实施例的画素结构的上视示意图。;图3A与图3B分别为沿图2的A-B以及B-C线的剖面示意图。;图4A至图4H为本创作之一实施例的画素结构的制造方法的流程上视示意图。