| 主权项 |
1.一种化学机械抛光组合物，其包含：(a)烟雾状二氧化矽颗粒，(b)基于该抛光组合物之总重量，2.5×10 -2 至2.5 mmoles/kg之钙、1×10 -2 至1.5 mmoles/kg之锶或7×10 -3 至0.75mmoles/kg之钡，(c)1至15重量百分比之一氧化剂，及(d)一包含水之液体载剂，其中该抛光组合物具有7至13之pH值，且其中该抛光组合物为胶状稳定的。 ;2.如请求项1之抛光组合物，其中该抛光组合物具有8至11之pH值。 ;3.如请求项2之抛光组合物，其中该等烟雾状二氧化矽颗粒系以基于该抛光组合物之该总重量的1至10重量百分比之量存在于该抛光组合物中。 ;4.如请求项3之抛光组合物，其中该氧化剂为无机或有机过化合物。 ;5.如请求项4之抛光组合物，其中该氧化剂系以基于该抛光组合物之该总重量的1至8重量百分比之量存在于该抛光组合物中。 ;6.如请求项4之抛光组合物，其中该氧化剂系以基于该抛光组合物之该总重量的1至5重量百分比之量存在于该抛光组合物中。 ;7.如请求项4之抛光组合物，其中该抛光组合物进一步包含选自由硝酸、磷酸、硫酸、其盐及其组合组成之群的无机酸。 ;8.如请求项4之抛光组合物，其中该抛光组合物进一步包含选自由草酸、苹果酸、丙二酸、酒石酸、乙酸、乳酸、丙酸、邻苯二甲酸、苯甲酸、柠檬酸、丁二酸、其盐及其组合组成之群的有机酸。 ;9.如请求项8之抛光组合物，其中该抛光组合物进一步包含一选自由1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯幷三唑、苯幷咪唑、苯幷噻唑及其混合物组成之群的腐蚀抑制剂。 ;10.如请求项9之抛光组合物，其中该抛光组合物进一步包含一错合剂或螯合剂。 ;11.如请求项1之抛光组合物，其中该等烟雾状二氧化矽颗粒以基于该抛光组合物之该总重量的0.1至20重量百分比之量存在于该抛光组合物中。 ;12.如请求项11之抛光组合物，其中该等烟雾状二氧化矽颗粒以基于该抛光组合物之该总重量的1至10重量百分比之量存在于该抛光组合物中。 ;13.如请求项1之抛光组合物，其中该氧化剂为无机或有机过化合物。 ;14.如请求项1之抛光组合物，其中该氧化剂以基于该抛光组合物之该总重量的1至8重量百分比之量存在于该抛光组合物中。 ;15.如请求项13之抛光组合物，其中该氧化剂以基于该抛光组合物之该总重量的1至5重量百分比之量存在于该抛光组合物中。 ;16.如请求项1之抛光组合物，其中该抛光组合物进一步包含酸，且该酸为选自由硝酸、磷酸、硫酸、其盐及其组合组成之群的无机酸。 ;17.如请求项1之抛光组合物，其中该抛光组合物进一步包含酸，且该酸为选自由草酸、苹果酸、丙二酸、酒石酸、乙酸、乳酸、丙酸、邻苯二甲酸、苯甲酸、柠檬酸、丁二酸、其盐及其组合组成之群的有机酸。 ;18.如请求项1之抛光组合物，其包含：(a)烟雾状二氧化矽颗粒，(b)2.5×10 -2 至2.5 mmoles/kg之钙或1×10 -2 至1.5 mmoles/kg之锶，(c)1至15重量百分比之一氧化剂，及(d)一包含水之液体载剂，其中该抛光组合物具有7至13之pH值，且其中该抛光组合物为胶状稳定的。 ;19.如请求项18之抛光组合物，其中该抛光组合物具有8至11之pH值。 ;20.如请求项19之抛光组合物，其中该等烟雾状二氧化矽颗粒系以基于该抛光组合物之该总重量的1至10重量百分比之量存在于该抛光组合物中。 ;21.如请求项20之抛光组合物，其中该氧化剂系以基于该抛光组合物之该总重量的1至8重量百分比之量存在于该抛光组合物中。 ;22.如请求项19之抛光组合物，其中该氧化剂为无机或有机过化合物。 ;23.如请求项22之抛光组合物，其中该氧化剂系以基于该抛光组合物之该总重量的1至8重量百分比之量存在于该抛光组合物中。 ;24.如请求项23之抛光组合物，其中该氧化剂系以基于该抛光组合物之该总重量的1至5重量百分比之量存在于该抛光组合物中。 ;25.如请求项22之抛光组合物，其中该抛光组合物进一步包含选自由硝酸、磷酸、硫酸、其盐及其组合组成之群的无机酸。 ;26.如请求项22之抛光组合物，其中该抛光组合物进一步包含选自由草酸、苹果酸、丙二酸、酒石酸、乙酸、乳酸、丙酸、邻苯二甲酸、苯甲酸、柠檬酸、丁二酸、其盐及其组合组成之群的有机酸。 ;27.如请求项26之抛光组合物，其中该抛光组合物进一步包含一选自由1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯幷三唑、苯幷咪唑、苯幷噻唑及其混合物组成之群的腐蚀抑制剂。 ;28.如请求项27之抛光组合物，其中该抛光组合物进一步包含一错合剂或螯合剂。 ;29.如请求项18之抛光组合物，其中该等烟雾状二氧化矽颗粒系以基于该抛光组合物之该总重量的0.1至20重量百分比之量存在于该抛光组合物中。 ;30.如请求项29之抛光组合物，其中该等烟雾状二氧化矽颗粒系以基于该抛光组合物之该总重量的1至10重量百分比之量存在于该抛光组合物中。 ;31.如请求项18之抛光组合物，其中该氧化剂系以基于该抛光组合物之该总重量的1至8重量百分比之量存在于该抛光组合物中。 ;32.如请求项18之抛光组合物，其中该氧化剂为无机或有机过化合物。 ;33.如请求项32之抛光组合物，其中该氧化剂系以基于该抛光组合物之该总重量的1至8重量百分比之量存在于该抛光组合物中。 ;34.如请求项33之抛光组合物，其中该氧化剂系以基于该抛光组合物之该总重量的1至5重量百分比之量存在于该抛光组合物中。 ;35.如请求项18之抛光组合物，其中该抛光组合物进一步包含酸，该酸为一选自由硝酸、磷酸、硫酸、其盐及其组合组成之群的无机酸。 ;36.如请求项18之抛光组合物，其中该抛光组合物进一步包含酸，该酸为一选自由草酸、苹果酸、丙二酸、酒石酸、乙酸、乳酸、丙酸、邻苯二甲酸、苯甲酸、柠檬酸、丁二酸、其盐及其组合组成之群的有机酸。 ;37.一种抛光一基板之方法，其包含以下步骤：(a)提供一基板，(b)提供一化学机械抛光组合物，其包含：(i)烟雾状二氧化矽颗粒，(ii)基于该抛光组合物之该总重量，2.5×10 -2 至2.5 mmoles/kg之钙、1×10 -2 至1.5 mmoles/kg之锶或7×10 -3 至0.75mmoles/kg之钡，(iii)一1至15重量百分比之氧化剂，及(iv)一包含水之液体载剂，其中该抛光组合物具有7至13之pH值，且其中该抛光组合物为胶状稳定的，(c)将该化学机械抛光组合物应用于至少一部分该基板上，及(d)利用该抛光组合物磨蚀至少一部分该基板以抛光该基板。 ;38.如请求项37之方法，其中该基板包含钽或氮化钽，且利用该抛光组合物磨蚀至少一部分该钽或氮化钽以抛光该基板。 ;39.如请求项38之方法，其中该抛光组合物具有8至11之pH值。 ;40.如请求项39之方法，其中该等烟雾状二氧化矽颗粒系以基于该抛光组合物之该总重量的1至10重量百分比之量存在于该抛光组合物中。 ;41.如请求项40之方法，其中该氧化剂为无机或有机过化合物。 ;42.如请求项41之方法，其中该氧化剂系以基于该抛光组合物之该总重量的1至8重量百分比之量存在于该抛光组合物中。 ;43.如请求项42之方法，其中该氧化剂系以基于该抛光组合物之该总重量的1至5重量百分比之量存在于该抛光组合物中。 ;44.如请求项41之方法，其中该抛光组合物进一步包含选自由硝酸、磷酸、硫酸、其盐及其组合组成之群的无机酸。 ;45.如请求项41之方法，其中该抛光组合物进一步包含选自由草酸、苹果酸、丙二酸、酒石酸、乙酸、乳酸、丙酸、邻苯二甲酸、苯甲酸、柠檬酸、丁二酸、其盐及其组合组成之群的有机酸。 ;46.如请求项45之方法，其中该抛光组合物进一步包含一选自由1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯幷三唑、苯幷咪唑、苯幷噻唑及其混合物组成之群的腐蚀抑制剂。 ;47.如请求项46之方法，其中该抛光组合物进一步包含一错合剂或螯合剂。 ;48.如请求项37之方法，其中该等烟雾状二氧化矽颗粒系以基于该抛光组合物之该总重量的0.1至20重量百分比之量存在于该抛光组合物中。 ;49.如请求项48之方法，其中该等烟雾状二氧化矽颗粒系以基于该抛光组合物之该总重量的1至10重量百分比之量存在于该抛光组合物中。 ;50.如请求项37之方法，其中该氧化剂为无机或有机过化合物。 ;51.如请求项37之方法，其中该氧化剂系以基于该抛光组合物之该总重量的1至8重量百分比之量存在于该抛光组合物中。 ;52.如请求项51之方法，其中该氧化剂系以基于该抛光组合物之该总重量的1至5重量百分比之量存在于该抛光组合物中。 ;53.如请求项37之方法，其中该抛光组合物进一步包含酸，且该酸为选自由硝酸、磷酸、硫酸、其盐及其组合组成之群的无机酸。 ;54.如请求项37之方法，其中该抛光组合物进一步包含酸，且该酸为选自由草酸、苹果酸、丙二酸、酒石酸、乙酸、乳酸、丙酸、邻苯二甲酸、苯甲酸、柠檬酸、丁二酸、其盐及其组合组成之群的有机酸。 ;55.如请求项37之方法，其包含以下该等步骤：(a)提供一基板，(b)提供一化学机械抛光组合物，其包含：(i)烟雾状二氧化矽颗粒，(ii)基于该抛光组合物之该总重量，2.5×10 -2 至2.5 mmoles/kg之钙或1×10 -2 至1.5 mmoles/kg之锶，(iii)一1至15重量百分比之氧化剂，及(iv)一包含水之液体载剂，其中该抛光组合物具有7至13之pH值，且其中该抛光组合物为胶状稳定的，(c)将该化学机械抛光组合物应用于至少一部分该基板上，及(d)利用该抛光组合物磨蚀至少一部分该基板以抛光该基板。 ;56.如请求项55之方法，其中该基板包含钽或氮化钽，且利用该抛光组合物来磨蚀至少一部分该钽或氮化钽以抛光该基板。 ;57.如请求项56之方法，其中该抛光组合物具有8至11之pH值。 ;58.如请求项57之方法，其中该等烟雾状二氧化矽颗粒系以基于该抛光组合物之该总重量的1至10重量百分比之量存在于该抛光组合物中。 ;59.如请求项55之方法，其中该氧化剂为无机或有机过化合物。 ;60.如请求项59之方法，其中该氧化剂系以基于该抛光组合物之该总重量的1至8重量百分比之量存在于该抛光组合物中。 ;61.如请求项60之方法，其中该氧化剂系以基于该抛光组合物之该总重量的1至5重量百分比之量存在于该抛光组合物中。 ;62.如请求项59之方法，其中该抛光组合物进一步包含选自由硝酸、磷酸、硫酸、其盐及其组合组成之群的无机酸。 ;63.如请求项59之方法，其中该抛光组合物进一步包含选自由草酸、苹果酸、丙二酸、酒石酸、乙酸、乳酸、丙酸、邻苯二甲酸、苯甲酸、柠檬酸、丁二酸、其盐及其组合组成之群的有机酸。 ;64.如请求项63之方法，其中该抛光组合物进一步包含一选自由1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯幷三唑、苯幷咪唑、苯幷噻唑及其混合物组成之群的腐蚀抑制剂。 ;65.如请求项64之方法，其中该抛光组合物进一步包含一错合剂或螯合剂。 ;66.如请求项55之方法，其中该等烟雾状二氧化矽颗粒系以基于该抛光组合物之该总重量的0.1至20重量百分比之量存在于该抛光组合物中。 ;67.如请求项66之方法，其中该等烟雾状二氧化矽颗粒系以基于该抛光组合物之该总重量的1至10重量百分比之量存在于该抛光组合物中。 ;68.如请求项55之方法，其中该氧化剂为无机或有机过化合物。 ;69.如请求项55之方法，其中该氧化剂系以基于该抛光组合物之该总重量的1至8重量百分比之量存在于该抛光组合物中。 ;70.如请求项69之方法，其中该氧化剂系以基于该抛光组合物之该总重量的1至5重量百分比之量存在于该抛光组合物中。 ;71.如请求项55之方法，其中该抛光组合物进一步包含酸，且该酸为选自由硝酸、磷酸、硫酸、其盐及其组合组成之群的无机酸。 ;72.如请求项55之方法，其中该抛光组合物进一步包含酸，且该酸为选自由草酸、苹果酸、丙二酸、酒石酸、乙酸、乳酸、丙酸、邻苯二甲酸、苯甲酸、柠檬酸、丁二酸、其盐及其组合组成之群的有机酸。 |
