电容器附加方法;CAPACITOR ATTACHMENT METHOD

摘要

本发明提供一种将一电容器(112)附加至一基板(100)之方法，该方法包括将一焊剂(108)涂覆至该基板(100)上之各别电容器衬垫(104、106)上。该电容器(112)置放于该等具焊剂之电容器衬垫(104、106)上，且一回焊操作对该电容器(112)及该基板(100)执行使得金属间互连件(128)形成于该电容器(112)与该基板(100)之间。

主权项

1.一种将一电容器附加至一基板之方法，该方法基本上由以下步骤组成：将一焊剂涂覆于该基板上之各别电容器衬垫；将该电容器置放于该等具焊剂之电容器衬垫上；及对该电容器及该基板执行一回焊操作。 ;2.如请求项1之将一电容器附加至一基板之方法，其中用金(Au)电镀该等基板电容器衬垫。 ;3.如请求项2之将一电容器附加至一基板之方法，其中用锡(Sn)电镀该等电容器之端接点。 ;4.如请求项3之将一电容器附加至一基板之方法，其中金锡(Au－Sn)金属间互连件形成于该等电容器端接点与该等基板电容器衬垫之间。 ;5.如请求项4之将一电容器附加至一基板之方法，其中该等Au－Sn金属间互连件包含约20重量百分比(wt%)之Au与约80 wt%之Sn。 ;6.如请求项5之将一电容器附加至一基板之方法，其中该等Au－Sn金属间互连件形成于一在约280℃与约300℃之间的温度下。 ;7.如请求项6之将一电容器附加至一基板之方法，其中在一高于约300℃之温度下回焊该电容器及该基板。 ;8.如请求项1之将一电容器附加至一基板之方法，其中该焊剂包含树脂焊剂及树脂微活性焊剂中之一者。 ;9.如请求项1之将一电容器附加至一基板之方法，其中该焊剂系藉由喷涂及打点中之一者来涂覆。 ;10.如请求项1之将一电容器附加至一基板之方法，其中该焊剂移除来自该基板上之该等电容器衬垫之氧化物。 ;11.如请求项10之将一电容器附加至一基板之方法，其中该焊剂将该电容器固持在适当位置中。 ;12.一种形成一封装半导体设备之方法，该方法基本上由以下步骤组成：提供一基板；将一焊剂涂覆于该基板上之各别电容器衬垫；将一或多个电容器置放于该等各别电容器衬垫上，其中该等电容器之端接点接触该等基板电容器衬垫之各别者；将一或多个积体电路(IC)晶粒置放于该基板上之各别控制崩溃晶片连接(C4)衬垫上；及对该或该等电容器、该或该等IC晶粒及该基板执行一回焊操作。 ;13.如请求项12之形成一封装半导体设备之方法，其中金锡(Au－Sn)金属间互连件形成于该等基板电容器衬垫与该或该等各别电容器之该等端接点之间。 ;14.如请求项12之形成一封装半导体设备之方法，其进一步基本上由以下步骤组成：将该焊剂涂覆于该基板上之该等各别C4衬垫。 ;15.如请求项12之形成一封装半导体设备之方法，其进一步基本上由以下步骤组成：将一底部填充剂分配至该基板与该或该等各别IC晶粒之间的一或多个间隙中。 ;16.如请求项15之形成一封装半导体设备之方法，其进一步基本上由以下步骤组成：密封该或该等电容器及该或该等IC晶粒。 ;17.如请求项16之形成一封装半导体设备之方法，其中用一或多个盖中之各别者来密封该或该等IC晶粒及该或该等电容器。 ;18.如请求项16之形成一封装半导体设备之方法，其进一步基本上由以下步骤组成：将复数个导电球附加至该基板之一底面。 ;19.如请求项12之形成一封装半导体设备之方法，其中在一高于约300℃之温度下回焊该或该等电容器及该或该等IC晶粒。 ;20.一种形成一多晶片模组之方法，该方法包含以下步骤：提供一具有镀金电容器衬垫之基板；将一焊剂涂覆至该基板上之各别电容器衬垫及各别控制崩溃晶片连接(C4)衬垫；将复数个电容器置放于该等各别具焊剂之电容器衬垫上，其中该等电容器具有镀锡端接点；将复数个积体电路(IC)晶粒置放于该等各别具焊剂之C4衬垫上；对该基板、该等电容器及该等IC晶粒执行一回焊操作使得金锡(Au－Sn)金属间互连件形成于该等基板电容器衬垫与该等各别电容器之端接点末端之间；将一底部填充剂分配至该基板与该等各别IC晶粒之间的复数个间隙中；及用复数个盖中之各别者密封该等电容器及该等IC晶粒，进而形成该多晶片模组。;图1为描绘形成一封装半导体设备之习知方法的流程图；图2为形成于一电容器与一基板之间的一焊接点表面上之焊球的放大横截面图；图3为一端起离于基板且相对端结合至基板之电容器之放大横截面图；图4为一电容器与一基板之间的各别焊接点中过量焊料的放大横截面图；图5A为根据本发明之一实施例之涂覆至一基板上之电容器衬垫之焊剂的放大横截面图；图5B为置放于图5A之具焊剂之电容器衬垫上的电容器之放大横截面图；图5C为置放于图5B之基板上的积体电路(IC)晶粒之放大横截面图；图5D为对图5C之基板、电容器及IC晶粒执行之回焊操作的放大横截面图；图5E为分配至图5D之基板与IC晶粒之各别者之间的间隙中之底部填充剂之放大横截面图；图5F为根据本发明之一实施例所形成之多晶片模组(MCM)的放大横截面图；图6为描绘根据本发明之一实施例形成一封装半导体设备之方法的流程图；及图7为一金锡(Au－Sn)系统之相位图。