发明名称 热均温腔体及其制造方法;VAPOR CHAMBER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
摘要 一种散热装置,系为一热均温腔体,可应用于一发热元件上。该热均温腔体之制造方法系提供一中空管体,并于该中空管体内壁形成一连续毛细结构。本创作之热均温腔体之制造方法,可提供较佳之热传导路径。
申请公布号 TWI329184 申请公布日期 2010.08.21
申请号 TW094125806 申请日期 2005.07.29
申请人 台达电子工业股份有限公司 DELTA ELECTRONICS, INC. 桃园县龟山乡山莺路252号 发明人 庄明德;郑钦铭;林祺逢;陈锦明
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项 1.一种热均温腔体之制造方法,其步骤包括:提供一中空管体,于该中空管体内壁设有一毛细结构以及至少一隔壁,该毛细结构系连续于该内壁及该隔壁上;将该中空管体之一端予以密封,再充填一工作介质于该中空管体中后,并予以抽真空及密封该中空管体。 ;2.如申请专利范围第1项所述之热均温腔体之制造方法,其中该中空管体之材质系选自铝、铜、钛、钼等具高热传导系数之金属或所组成族群其中之一。 ;3.如申请专利范围第1项所述之热均温腔体之制造方法,其中该中空管体系以铜挤型制程或抽拉制程而一体成型。 ;4.如申请专利范围第1项所述之热均温腔体之制造方法,其中该中空管体之截面形状系为圆形、椭圆形、半圆弧、矩形、三角形、四边形、梯形、五角形、六角形、八角形、等边多边形或不等边多边形。 ;5.如申请专利范围第1项所述之热均温腔体之制造方法,其中该中空管体内之该隔壁更于该中空管体内形成复数个腔室。 ;6.如申请专利范围第1项所述之热均温腔体之制造方法,其中该毛细结构系采用烧结方法所形成。 ;7.如申请专利范围第1项所述之热均温腔体之制造方法,其中该毛细结构系为金属弹簧状、沟槽状、柱状、网状或以金属粉粒成型之多孔质结构。 ;8.如申请专利范围第1项所述之热均温腔体之制造方法,其中该密封之方法系以焊接、熔接或类似机械加工方式密封。 ;9.如申请专利范围第1项所述之热均温腔体之制造方法,其中该工作介质系选自无机化合物、水、烷类、醇类、液态金属、酮类、冷煤、有机化合物所组成族群之一。 ;10.一种热均温腔体,其包括:一中空管体,其内壁表面形成有一连续之毛细结构,其中该中空管体之二端为密封,并于其内充填有一工作介质,该中空管体内更包括至少一隔壁,该毛细结构系连续于该内壁及该隔壁上。 ;11.如申请专利范围第10项所述之热均温腔体,其中该中空管体之材质系选自铝、铜、钛、钼等具高热传导系数之金属或所组成族群其中之一。 ;12.如申请专利范围第10项所述之热均温腔体,其中该中空管体系以铜挤型制程或抽拉制程而一体成型。 ;13.如申请专利范围第10项所述之热均温腔体,其中该中空管体之截面形状系为圆形、椭圆形、半圆弧、矩形、三角形、四边形、梯形、五角形、六角形、八角形、等边多边形或不等边多边形。 ;14.如申请专利范围第10项所述之热均温腔体,其中该中空管体内之该隔壁更于该中空管体内形成复数个腔室。 ;15.如申请专利范围第10项所述之热均温腔体,其中该毛细结构系采用烧结方法所形成。 ;16.如申请专利范围第10项所述之热均温腔体,其中该毛细结构系为金属弹簧状、沟槽状、柱状、网状或以金属粉粒成型之多孔质结构。 ;17.如申请专利范围第10项所述之热均温腔体,其中该密封之方法系以焊接、熔接或类似机械加工方式密封。 ;18.如申请专利范围第10项所述之热均温腔体,其中该工作介质系选自无机化合物、水、烷类、醇类、液态金属、酮类、冷煤、有机化合物所组成族群之一。;第1图系绘示习知热均温腔体之示意图。;第2图系绘示依本发明热均温腔体之制造方法所制成之热均温腔体的剖面示意图。;第3图系绘示依本发明热均温腔体之制造方法所制成之热均温腔体的另一剖面示意图。
地址 DELTA ELECTRONICS, INC. 桃园县龟山乡山莺路252号