单晶矽晶圆的ＣＯＰ发生因素判定方法

摘要

将对象之晶圆之判定区域于半径方向分割成同心圆状，针对各经过分割之判定区域求取COP之密度，其最大值为COP密度半径MAX、最小值为COP密度半径MIN，将利用「(COP密度半径MAX－COP密度半径MIN)/COP密度半径MAX」计算所得之值与预定之设定值进行比较，在明确之基准下，区分非结晶起因之COP及结晶起因之COP，执行COP发生因素之判定。藉此，可以救济非结晶起因之COP被判定成结晶起因之COP而不合格之晶圆，而提高晶圆之制造良率。

主权项

1.一种单晶矽晶圆的COP发生因素判定方法，其特征为：将前述晶圆之判定区域于半径方向分割成同心圆状，针对各经过分割之判定区域求取COP之密度，其最大值为COP密度半径MAX、最小值为COP密度半径MIN，利用「(COP密度半径MAX－COP密度半径MIN)/COP密度半径MAX」计算所得之值为预定之设定值以下时，判定COP之发生因素系结晶育成时所导入之缺陷以外之因素。 ;2.一种单晶矽晶圆的COP发生因素判定方法，其特征为：将前述晶圆之判定区域于半径方向分割成同心圆状，经过分割之判定区域当中之中心部及外周部以外之区域所发生之COP，判定系结晶育成时导入之缺陷以外之因素。 ;3.如申请专利范围第1或2项所记载之单晶矽晶圆的COP发生因素判定方法，其中分割成前述同心圆状之各判定区域之宽度在于15mm至30mm之范围内。 ;4.一种单晶矽晶圆的COP发生因素判定方法，其特征为：将前述晶圆之判定区域于半径方向分割成同心圆状，更于圆周方向进行分割，针对同一半径之各判定区域求取圆周方向之各判定区域之COP之密度，同一半径之判定区域内之最大值为COP密度圆周MAX、最小值为COP密度圆周MIN，利用「(COP密度圆周MAX－COP密度圆周MIN)/COP密度圆周MAX」计算所得之值为预定之设定值以上时，判定COP之发生因素系结晶育成时所导入之缺陷以外之因素。 ;5.如申请专利范围第4项所记载之单晶矽晶圆的COP发生因素判定方法，其中分割成前述同心圆状时之各判定区域之宽度在于15mm到30mm之范围内，且前述圆周方向之分割为3分割至8分割。 ;6.一种单晶矽晶圆的COP发生因素判定方法，其特征为：COP之发生为线状、点线状、或局部斑点状时，判定COP之发生因素系结晶育成时所导入以外之因素。;第1图系Grown－in缺陷之分布状态之一例之模式图。;第2图系COP发生因素判定方法之检讨过程之无法判定成非结晶起因之COP之样本之COP例图。;第3图系单晶矽晶圆的COP评估处理图。;第4图系单晶矽晶圆的COP评估处理之COP之评估结果例图。