减少侵蚀之氮氧化方法;NITROGEN OXIDATION TO REDUCE ENCROACHMENT

摘要

一种制造金属氧化物半导体之方法(500)。将金属氧化物半导体之闸极构造蚀刻(510)。将一含氮气体，可为NO或N2O，流过该金属氧化物半导体(520)。将一植入前薄膜(620)生成于该闸极构造之边缘。该植入前薄膜可以修补因为蚀刻过程所造成之闸极叠层边缘的破坏。该薄膜大致上可为氮化矽。好处系该薄膜可以比知的氧化矽薄膜更薄。较薄的薄膜不会在通道氧化物中造成不好的不均匀性。不均匀的通道氧化物可能会造成闸极和通道间的不均匀的场。不均匀的场可能造成许多不好的影响。本发明之实施例有利地克服先前技术于休补闸极叠层边缘缺陷上的缺点。在此创新的方法中，得以实际地修补闸极叠层边缘缺陷，而不会对金属氧化物半导体之电气特性造成有害的影响。将氮化矽应用于此之新颖的应用可形成薄的修补层。有好处的系使用本发明之实施例所制造的半导体可利用更小的制程特征尺寸，造成半导体装置之更高密度之阵列，俾以使该种装置有较低成本并且藉由在此说明之技术改良使实行者实现竞争之优势。

主权项

1.一种金属氧化物半导体之制造方法，该方式包括下列步骤：蚀刻该金属氧化物半导体之一闸极构造；将一含氮气体流过该金属氧化物半导体；以及在该闸极构造之边缘上生成一植入前薄膜，其中该植入前薄膜大致上为氮化矽且其厚度系介于50埃与60埃之间。 ;2.如申请专利范围第1项之金属氧化物半导体之制造方法，其中该含氮气体大致上为NO。 ;3.如申请专利范围第1项之金属氧化物半导体之制造方法，其中该含氮气体大致上为N2 O。 ;4.如申请专利范围第1项之金属氧化物半导体之制造方法，复包括在该生成后植入一源极区域。 ;5.一种闸极叠层之边缘缺陷的修补方法，该方法包括下列步骤：将一包括具有闸极叠层边缘缺陷之半导体的晶圆放入炉中；将一含氮气体流过该闸极叠层；以及在该闸极构造之边缘上生成植入前薄膜以修补该边缘缺陷，其中该植入前薄膜厚度系介于50埃与60埃之间。 ;6.如申请专利范围第5项之闸极叠层之边缘缺陷之修补方法，复包括在该生成后植入一源极区域。;第1图显示先前技术中已熟知的记忆体单元；第2A图、第2B图、第2C图及第2D图说明先前技术中之已熟知的形成浮接闸极记忆体单元10之闸极叠层之范例光学微影术；第3图说明先前技术中之已熟知的两种蚀刻闸极叠层之效果；第4图说明浮接闸极记忆体单元之阵列的限界电压之两种分布图；第5图说明根据本发明一实施例的制造金属氧化物半导体之方法；以及第6图说明根据本发明一实施例的浮接闸极记忆体单元之部份。