光电装置及其制造方法以及电子机器;ELECTRO-OPTICAL DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC APPARATUS

摘要

对于液晶等之光电装置，能够谋求叠层构造或制造过程之单纯化，并能执行高品质之显示。;其解决手段为光电装置具备有资料线及扫描线，和被配置在较资料线下层侧之薄膜电晶体。并且具备有：被配置在较资料线上层侧，由下层侧依序叠层画素电位侧电极、介电体膜及固定电位侧电极而所构成之积蓄电容；被配置在每个画素上，电性连接于画素电位侧电极及薄膜电晶体之画素电极；和被叠层于介电体膜之上层侧的层间绝缘膜；积蓄电容是具有在自开设于上述层间绝缘膜之开口所露出的上述介电体膜上叠层固定电位侧电极的叠层构造。

主权项

1.一种光电装置，其特征为：在基板上，具备有延伸于第1方向之资料线；被电性连接于上述资料线，并且被配置在较上述资料线下层侧之薄膜电晶体；以被上述资料线覆盖之方式，延伸于上述第1方向之上述薄膜电晶体的半导体层；被配置在较上述资料线上层侧，由下层侧依序叠层画素电位侧电极、介电体膜及固定电位侧电极而所构成之积蓄电容；被电性连接于上述画素电位侧电极及上述薄膜电晶体之画素电极；和被叠层于上述介电体膜之上层侧的层间绝缘膜；上述积蓄电容是具有在自开设于上述层间绝缘膜之开口所露出的上述介电体膜上叠层上述固定电位侧电极的叠层构造，上述固定电位侧电极系以覆盖上述资料线之方式延伸于上述第1方向，并且具有突出于与上述第1方向交叉之第2方向的突出部，上述画素电位侧电极系一部份与上述固定电位侧电极之突出部重叠，并且具有以从上述突出部突出至上述第2方向之方式延伸于相邻之上述资料线间的延伸部，在上述画素电位侧电极和上述固定电位侧电极之突出部重叠之区域形成有上述积蓄电容，上述画素电位侧电极之延伸部和上述画素电极经接触孔电性连接。 ;2.一种光电装置，其特征为：在基板上，具备有互相交叉而延伸的资料线及扫描线；在上述基板上由俯视观看是对应于上述资料线及扫描线而被配置，并且被配置在较上述资料线下层侧之薄膜电晶体；被配置在较上述资料线上层侧，由下层侧依序叠层画素电位侧电极、介电体膜及固定电位侧电极而所构成之积蓄电容；在上述基板上，由俯视观看被配置于对应着上述资料线及扫描线而所规定之每个画素，且电性连接于上述画素电位侧电极及上述薄膜电晶体之画素电极；和被叠层于上述画素电位侧电极之上层侧的层间绝缘膜；上述积蓄电容是具有在从开设于上述层间绝缘膜之开口所露出的上述画素电位侧电极上叠层上述介电体膜及上述固定电位侧电极的叠层构造。 ;3.如申请专利范围第1项或第2项所记载之光电装置，其中，上述薄膜电晶体在上述基板上由俯视观看是被配置成藉由上述资料线至少部分覆盖通道区域，上述积蓄电容在上述基板上由俯视观看是被配置在包含有与上述通道区域相向之区域的区域，上述资料线包含有第1导电性遮光膜，上述固定电位侧电极及上述画素电位侧电极之至少一方式包含有第2导电性遮光膜。 ;4.如申请专利范围第3项所记载之光电装置，其中，上述扫描线在上述基板上由俯视观看是被配置在包含有与上述通道区域相向之区域的区域，并且在上述基板上被配置在上述薄膜电晶体之下层侧，经由接触孔连接于上述薄膜电晶体之闸极，包含第3导电性遮光膜而所构成。 ;5.如申请专利范围第1项或第2项所记载之光电装置，其中，上述介电体膜在上述基板上由俯视观看是被形成于位在上述画素每画素之开口区域之间隙的非开口区域。 ;6.如申请专利范围第1项或第2项所记载之光电装置，其中，在与上述资料线之上述通道区域相向之侧，形成有比起构成上述资料线之本体之导电膜，反射率为低之导电膜。 ;7.如申请专利范围第1项或第2项所记载之光电装置，其中，上述画素电位侧电极是由与上述资料线同层之导电膜所形成。 ;8.如申请专利范围第1项或第2项所记载之光电装置，其中，在上述基板上，又具备有由与上述固定电位侧电极同层之导电膜所形成，用以中继连接上述画素电位侧电极和上述画素电极之中继层。 ;9.如申请专利范围第8项所记载之光电装置，其中，上述中继层是经由上述画素电位侧电极之延伸部，而被电性连接于上述汲极。 ;10.一种电子机器，其特征为：具备有申请专利范围第1项至第9项中之任一项所记载之光电装置。 ;11.一种光电装置之制造方法，属于在基板上具备有延伸于第1方向的资料线；被电性连接于上述资料线的薄膜电晶体；延伸于上述第1方向的上述薄膜电晶体之半导体层；被配置在较上述资料线上层侧之积蓄电容；和被配置较上述积蓄电容上层侧之画素电极的光电装置之制造方法，其特征为：包含有在较上述资料线下层侧形成上述薄膜电晶体之步骤；在较上述薄膜电晶体上层侧形成上述资料线的步骤；以被上述薄膜电晶体覆盖之方式形成上述资料线的步骤；以在较上述资料线上层侧，依序叠层画素电位侧电极、介电体膜及固定电位侧电极之方式，形成上述积蓄电容的步骤；和在上述积蓄电容上，以被电性连接于上述画素电位侧电极及上述薄膜电晶体之方式，形成上述画素电极的步骤；形成上述积蓄电容的步骤是具有在上述介电体膜之上层侧形成层间绝缘膜之步骤；和在该层间绝缘膜开设开口之步骤：和在自该开口所露出之上述介电体膜上叠层上述固定电位侧电极之步骤，上述固定电位侧电极系以覆盖上述资料线之方式延伸于上述第1方向，并且具有突出于与上述第1方向交叉之第2方向的突出部，上述画素电位侧电极系一部份与上述固定电位侧电极之突出部重叠，并且具有以从上述突出部突出至上述第2方向之方式延伸于相邻之上述资料线间的延伸部，在上述画素电位侧电极和上述固定电位侧电极之突出部重叠之区域形成有上述积蓄电容，上述画素电位侧电极之延伸部和上述画素电极经接触孔电性连接。 ;12.一种光电装置之制造方法，属于在基板上具备有互相交叉而延伸的资料线及扫描线；被配置在较上述资料线下层侧的薄膜电晶体；被配置在较上述资料线上层侧之积蓄电容；和被配置较上述积蓄电容上层侧之画素电极的光电装置之制造方法，其特征为：包含有于上述基板上俯视观视，在对应于上述资料线及扫描线之交差之区域，形成上述薄膜电晶体之步骤；在较上述薄膜电晶体上层侧，形成上述资料线的步骤；以在较上述资料线上层侧，依序叠层画素电位侧电极、介电体膜及固定电位侧电极之方式，形成上述积蓄电容的步骤；和在上述积蓄电容上，于上述基板上由俯视观看对应于上述资料线及扫描线而所规定之每个画素，以电性连接于上述薄膜电晶体及上述画素电位侧电极之方式，形成上述画素电极的步骤；形成上述积蓄电容的步骤是具有在上述介电体膜之上层侧形成层间绝缘膜之步骤；和在该层间绝缘膜开设开口之步骤：和在自该开口所露出之上述画素电位侧电极上叠层上述介电体膜及上述固定电位侧电极之步骤。 ;13.如申请专利范围第11项及第12项所记载之光电装置之制造方法，其中，形成上述积蓄电容之步骤是具有由与上述资料线同层之导电膜形成上述画素电位侧电极之步骤。;第1图是表示本发明之第1实施型态所涉及之液晶装置之全体构成之平面图。;第2图为第1图之H-H'之剖面图。;第3图为多数画素中之各种元件、配线等之等效电路图。;第4图为第1实施型态所涉及之TFT阵列基板上之画素群之平面图，仅表示下层部分(至第7图中符号75(介电体膜)之下层部分)的构成。;第5图为第1实施型态所涉及之TFT阵列基板上之画素群之平面图，仅表示上层部分(超过第7图中符号75(介电体膜)之上层部分)的构成。;第6图为重叠第4图及第5图之时的平面图，放大一部份之图式。;第7图为叠层第4图及第5图之时的A-A'剖面图。;第8图是依顺序表示第1实施型态所涉及之液晶装置之制造工程的剖面图(其1)。;第9图是依顺序表示第1实施型态所涉及之液晶装置之制造工程的剖面图(其2)。;第10图是依顺序表示第1实施型态所涉及之液晶装置之制造工程的剖面图(其3)。;第11图是依顺序表示第1实施型态所涉及之液晶装置之制造工程的剖面图(其4)。;第12图是依顺序表示第1实施型态所涉及之液晶装置之制造工程的剖面图(其5)。;第13图是与第2实施型态中之第7图同主旨之剖面图。;第14图是依顺序表示第2实施型态所涉及之液晶装置之制造工程的剖面图(其1)。;第15图是依顺序表示第2实施型态所涉及之液晶装置之制造工程的剖面图(其2)。;第16图是与第3实施型态中之第5图同主旨之平面图。;第17图是与第3实施型态中之第6图同主旨之平面图。;第18图是与第3实施型态中之第7图同主旨之平面图。;第19图是与第4实施型态中之第7图同主旨之平面图。;第20图是表示当作适用光电装置之电子机器之一例的投影机之构成的平面图。;第21图是表示当作适用光电装置之电子机器之一例的个人电脑之构成的斜视图。;第22图是表示当作适用光电装置之电子机器之一例的行动电话之构成的斜视图。