| 摘要 |
1. Способ выращивания кристаллов бестигельным методом путем вытягивания вниз кристалла из расплавленной зоны в градиенте температуры с использованием ростовой камеры, фонового многосекционного нагревателя, дополнительного нагревателя в герметичном корпусе (ОТФ-нагревателя), находящегося вблизи фронта кристаллизации в контакте с расплавленной зоной, удерживаемой силами поверхностного натяжения между дном корпуса ОТФ-нагревателя и кристаллом, а также подачи кристаллизуемого материала питателем, отличающийся тем, что высоту зоны поддерживают в диапазоне от 1 до 20 мм, обеспечивая ее разнотолщинность на противоположных краях ОТФ-нагревателя в пределах от 0,1 до 0,5 мм, а по всему сечению растущего кристалла - от 0,1 до 5 мм при осевом градиенте температуры в диапазоне от 5 до 500°С/см и радиальном - в диапазоне от 0,1 до 10°С/см. ! 2. Способ по п.1, в котором разнотолщинность по всему сечению растущего кристалла не превышает 0,5 мм за счет выращивания кристалла с единой плоской гранью на фронте кристаллизации. ! 3. Способ по п.1 или 2, в котором подача кристаллизуемого материала осуществляется в виде порошка, перед загрузкой в питатель предварительно просеиваемого для исключения частиц размером меньше d и больше D, рассчитываемых по формулам: ! d[мм]=0,002·(π·ρ[г/см3])-1/3, где ρ - плотность кристаллического материала; ! ! где λ - теплопроводность, С - теплоемкость, Н - теплота кристаллизации материала, который плавится за время t при попадании на верхнюю поверхность корпуса ОТФ-нагревателя, нагретую выше температуры плавления кристалла, при этом получившийся расплав стекает в расплавленную зону к растущему кристаллу как по боковой вне |
