Verringerung von Dickenschwankungen einer schwellwerteinstellenden Halbleiterlegierung durch Verringern der Strukturierungsungleichmäßigkeiten vor dem Abscheiden der Halbleiterlegierung

摘要

Die Aufwachsrate in einem selektiven epitaktischen Aufwachsprozess zum Abscheiden einer schwellwerteinstellenden Halbleiterlegierung, etwa einer Silizium/Germanium-Legierung, kann verbessert werden, indem ein plasmaunterstützter Ätzprozess vor dem Ausführen des selektiven epitaktischen Aufwachsprozesses ausgeführt wird. Beispielsweise wird eine Maskenschicht auf der Grundlage des plasmanunterstützten Ätzprozesses strukturiert, wodurch gleichzeitig eine bessere Bauteiltopographie während des nachfolgenden Aufwachsprozesses geschaffen wird. Somit kann das schwellwerteinstellende Material mit besserer Dickengleichmäßigkeit abgeschieden werden, wodurch insgesamt die Schwellwertvariabilität verringert wird.