发明名称 Halbleiterbauelement und Verfahren für die Verformungserzeugung in siliziumbasierten Transistoren durch Anwendung von Implantationstechniken zur Herstellung einer verformungs-induzierenden Schicht unter dem Kanalgebiet
摘要
申请公布号 DE102007025336(B4) 申请公布日期 2010.08.19
申请号 DE200710025336 申请日期 2007.05.31
申请人 ADVANCED MICRO DEVICES INC. 发明人 GRIEBENOW, UWE;FROHBERG, KAI;GERHARDT, MARTIN
分类号 H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/088;H01L29/78 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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