发明名称 一种纳米压印硬模板的制备方法
摘要 一种能够大面积制备价格低廉、高复用率、微纳尺寸可调的用于纳米压印的硬模板的制备方法,首先在草酸电解液中,采用电化学法制备规整的阳极氧化铝(AAO)模板;其次在AAO表面蒸镀一层全氟辛基-三氯硅烷(CF3(CF2)5(CH2)2SiCl3)脱模剂;在硅或石英基底上旋涂一层紫外可固化或热可固化光刻胶;利用紫外纳米压印或热纳米压印技术将阳极氧化铝模板的微纳结构复制到光刻胶表面;最后利用反应离子束蚀刻(RIE),即可在硅或石英基底上得到这种能够大面积制备的价格低廉、高复用率、微纳尺寸可调的用于纳米压印的硅或石英硬模板。
申请公布号 CN101806996A 申请公布日期 2010.08.18
申请号 CN201010136265.6 申请日期 2010.03.31
申请人 华中科技大学 发明人 孙堂友;徐智谋;刘文;邱飞;陈志伟
分类号 G03F1/00(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I 主分类号 G03F1/00(2006.01)I
代理机构 华中科技大学专利中心 42201 代理人 朱仁玲
主权项 一种纳米压印硬模板的制备方法,包括如下步骤:(1)制备多孔阳极氧化铝AAO模板;(2)在上述模板表面镀膜;(3)制备衬底:在洁净的硅或石英表面旋涂一层光刻胶或热压胶,形成由硅基或石英基底和光刻胶或热压胶组成的衬底;(4)将上述镀膜后的模板和衬底进行纳米压印;(5)脱模:将上述压印处理后的模板与衬底分离,从而在所述衬底的光刻胶或热压胶上形成所述多孔阳极氧化铝AAO模板的互补图形;(6)反应离子束蚀刻(RIE),将上述互补图形转移到硅或石英基底上;(7)将步骤(6)所得的硅基底或石英基底经去胶、清洗、烘干处理,即得到硅基或石英基硬模板。
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
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