| 发明名称 | 沟栅场效应晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种单片集成场效应晶体管和肖特基二极管，包括延伸到半导体区内的栅极沟槽。具有基本三角形的源极区位于栅极沟槽的每一侧的侧面。接触开口延伸到相邻栅极沟槽之间的半导体区中。导体层填充接触开口以：(a)沿每一源极区的倾斜侧壁的至少一部分电接触源极区，以及(b)沿接触开口的底部电接触半导体区，其中，导体层与半导体区形成肖特基接触。 | ||
| 申请公布号 | CN101185169B | 申请公布日期 | 2010.08.18 |
| 申请号 | CN200680018774.0 | 申请日期 | 2006.04.04 |
| 申请人 | 飞兆半导体公司 | 发明人 | 克里斯多佛·博古斯洛·科库;史蒂文·P·萨普;保尔·托鲁普;帝恩·E·普罗布斯特;罗伯特·赫里克;贝姬·洛斯伊;哈姆扎·耶尔马兹;克里斯托弗·劳伦斯·雷克塞尔;丹尼尔·卡拉菲特 |
| 分类号 | H01L29/812(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/812(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;李丙林 |
| 主权项 | 一种结构，包括单片集成沟槽FET和肖特基二极管，所述结构进一步包括：栅极沟槽，所述栅极沟槽延伸到半导体区中；源极区，位于所述栅极沟槽的每一侧的侧面，所述源极区具有基本三角形的形状，所述源极区具有倾斜侧壁；接触开口，所述接触开口延伸到相邻栅极沟槽之间的所述半导体区；以及导体层，所述导体层填充所述接触开口以：(a)沿每一源极区的倾斜侧壁的至少一部分电接触所述源极区，以及(b)沿所述接触开口的底部电接触所述半导体区，所述导体层与所述半导体区形成肖特基接触。 | ||
| 地址 | 美国缅因州 | ||