| 发明名称 | 在半导体器件中形成铜布线的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在半导体器件中形成铜布线和防止铜离子迁移的方法。所述方法包括：对已经进行CMP工艺之后的用于形成铜布线的铜层进行后清洗工艺。所述后清洗工艺包括使用柠檬酸基化学品进行一次化学清洗。然后使用抗坏血酸基化学品对已经进行所述一次化学清洗的所述铜层进行二次化学清洗。后清洗工艺完成之后，防止了铜离子随时间的迁移，由此改善了半导体器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN101807540A | 申请公布日期 | 2010.08.18 |
| 申请号 | CN200910143122.5 | 申请日期 | 2009.05.14 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 朴滢淳;郭鲁正;廉胜振;柳春根;郑钟九;金成准 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I;B08B3/08(2006.01)I;B08B3/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 刘继富;顾晋伟 |
| 主权项 | 一种在半导体器件中形成铜布线的方法，包括对先前已经进行了CMP(化学机械抛光)工艺的铜层进行后清洗工艺的步骤，所述后清洗工艺包括以下步骤：使用柠檬酸基化学品对所述铜层进行一次化学清洗；和使用抗坏血酸基化学品对已经进行了所述一次化学清洗的所述铜层进行二次化学清洗。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||